[發(fā)明專利]一種黑硅制絨清洗機及其工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710572759.0
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107221581B
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邵玉林
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫琨圣科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本發(fā)明公開了一種黑硅制絨清洗機及其工藝，由機架、機械手板塊、硅片花籃、槽體板塊、冷熱循環(huán)用液板塊、控制臺、上料臺和下料臺組成，所述機械手板塊運載硅片花籃橫向偏移和縱向升降，使硅片花籃浸入槽體板塊中，所述槽體板塊首尾連接冷熱循環(huán)用液板塊，所述控制臺位于機架中部且控制機械手板塊、槽體板塊、冷熱循環(huán)用液板塊、上料臺和下料臺的工作狀態(tài)，所述槽體板塊包括32個工位槽，制成絨面反射率低，硅片表面清洗充分，實現(xiàn)了制絨清洗工序的自動化，碎片率較低，本發(fā)明適用于黑硅制絨清洗機及其工藝。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種黑硅制絨清洗機及其工藝領(lǐng)域，特別涉及一種黑硅制絨清洗機及其工藝。

背景技術(shù)

太陽能電池硅片的表面處理的目的在于清楚表面油污和金屬雜質(zhì)形成起伏不平的絨面，增加硅片對太陽光的吸收，硅片表面絨面的成型與清潔程度直接影響著硅片的光反射率。

目前通常采用制絨清洗機實現(xiàn)硅片的制絨清洗工序，制絨清洗機一般分為手動洗槽式、半自動式和全自動式，現(xiàn)有技術(shù)的制絨清洗機通常具有以下弊端：

1. 臟污、指紋來源：脫膠不良、切割后未及時清洗，清洗劑殘留、包裝過程膠帶、裸手觸片等；線痕源于切割：單晶、多線、硬點（盡多晶有）；劃傷；硅片間摩擦、擦片摩擦等；

2. 槽體清潔：久未洗槽，維修后引入臟污未及時清除；溫度均勻：鼓泡不均勻，加熱器加熱故障，探溫?zé)犭娕紦p壞；溶液均勻：攪拌不充分，鼓泡或加熱故障；

3. 清洗本身導(dǎo)致表面產(chǎn)生差異；硅酸鈉殘留、掛堿印，硅片清洗后未及時清洗，風(fēng)干導(dǎo)致局部臟污。

故以上問題亟待解決。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種黑硅制絨清洗機及其工藝，制成絨面反射率低，硅片表面清洗充分，實現(xiàn)了制絨清洗工序的自動化，碎片率較低。

為達到上述目的，本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種黑硅制絨清洗機，由機架、機械手板塊、硅片花籃、槽體板塊、冷熱循環(huán)用液板塊、控制臺、上料臺和下料臺組成，所述機械手板塊運載硅片花籃橫向偏移和縱向升降，使硅片花籃浸入槽體板塊中，所述槽體板塊首尾連接冷熱循環(huán)用液板塊，所述控制臺位于機架中部且控制機械手板塊、槽體板塊、冷熱循環(huán)用液板塊、上料臺和下料臺的工作狀態(tài)，所述槽體板塊包括32個工位槽，32個所述工位槽依次為堿洗槽A、堿洗槽B、漂洗槽、硝酸洗槽、漂洗槽、添銀酸洗槽A、添銀酸洗槽B、漂洗槽、氫氟酸洗槽A、氫氟酸洗槽B、漂洗槽、初步去銀洗槽A、漂洗槽、初步去銀洗槽B、漂洗槽、純氫氟酸洗槽、酸洗連體槽、漂洗槽、純堿洗槽、漂洗槽、二次去銀洗槽A、漂洗槽、二次去銀洗槽B、漂洗槽、雙酸洗槽、漂洗槽、漂洗槽、預(yù)脫水槽、烘干槽A、烘干槽B、烘干槽C和烘干槽D，所述堿洗槽A和堿洗槽B均裝有氫氧化鉀和無醇輔助劑，所述添銀酸洗槽A和添銀酸洗槽B均裝有硝酸銀和氫氟酸，所述初步去銀洗槽A和初步去銀洗槽B中均裝有氨水和過氧化氫，所述酸洗連體槽內(nèi)裝有氫氟酸和硝酸，所述二次去銀洗槽A內(nèi)裝有氨水、氫氧化鉀和過氧化氫，所述二次去銀洗槽B內(nèi)裝有氨水和過氧化氫，所述雙酸洗槽內(nèi)裝有氫氟酸和鹽酸。

作為優(yōu)選，所述工位槽均加有透明管RECHNER開關(guān)。

作為優(yōu)選，所述堿洗槽和酸洗槽均有PVDF板材構(gòu)成。

作為優(yōu)選，所述烘干槽A、烘干槽B、烘干槽C和烘干槽D由SUS噴氟材料構(gòu)成。

作為優(yōu)選，所述硝酸洗槽、初步去銀洗槽A、初步去銀洗槽B、酸洗連體槽、二次去銀洗槽A、二次去銀洗槽B內(nèi)均帶有抽風(fēng)。

基于上述的一種黑硅制絨清洗機，研發(fā)了一種工藝，該工藝包括以下步驟：

a.上料：上料臺上硅片花籃，通過機械手運載進入槽體板塊；

b.初步堿洗：硅片花籃進入堿洗槽A、堿洗槽B并漂洗；