[發(fā)明專利]一種亞波長反射式一維金屬波片的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710572342.4 | 申請日： | 2015-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN107203018B | 公開（公告）日： | 2019-07-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王欽華;胡敬佩;李瑞彬;趙效楠;王淼;陳玲華;許富洋;曹冰 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | G02B5/30 | 分類號： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海鋒;孫周強 |
| 地址： | 215137 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 介質(zhì)光柵 金屬層 波片 反射式 亞波長 制備 光學傳感系統(tǒng) 集成光學系統(tǒng) 納米光子器件 四分之一波片 金屬 光柵結(jié)構(gòu) 光柵金屬 納米介質(zhì) 層間距 反射率 厚度比 介質(zhì)層 金 銀 占空比 波段 制作 應用 | ||
1.一種亞波長反射式一維金屬波片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：首先，在介質(zhì)材料上涂光刻膠；然后經(jīng)曝光顯影，再刻蝕光刻膠，接著去除殘余光刻膠得到納米介質(zhì)光柵；最后，在納米介質(zhì)光柵上設(shè)置金屬層，即得到亞波長反射式一維金屬波片；所述亞波長反射式一維金屬波片，包括納米介質(zhì)光柵及位于所述納米介質(zhì)光柵上的金屬層；所述金屬層與所述納米介質(zhì)光柵之間無間隙；所述金屬層上表面設(shè)有類光柵結(jié)構(gòu)；所述納米介質(zhì)光柵的周期為80～350nm，占空比為0.3～0.8，厚度為50～200nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述亞波長反射式一維金屬波片的制備方法，其特征在于：所述金屬層連續(xù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述亞波長反射式一維金屬波片的制備方法，其特征在于：所述金屬為金、銀、鋁或者鎘。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述亞波長反射式一維金屬波片的制備方法，其特征在于：所述金屬為鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述亞波長反射式一維金屬波片的制備方法，其特征在于：采用磁控濺射方式在所述納米介質(zhì)光柵上設(shè)置金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述亞波長反射式一維金屬波片的制備方法，其特征在于：所述納米介質(zhì)光柵的介質(zhì)為SiO2、MgF2或者PMMA。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述亞波長反射式一維金屬波片的制備方法，其特征在于：所述納米介質(zhì)光柵的周期為250～300nm，占空比為0.4～0.5，厚度為100～120nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述亞波長反射式一維金屬波片的制備方法，其特征在于：采用雙光束曝光顯影；用反應離子束刻蝕光刻膠；利用丙酮去除殘余光刻膠；采用磁控濺射方式在所述納米介質(zhì)光柵上設(shè)置金屬層。
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