[發明專利]一種耗盡管基準電流源電路在審
| 申請號： | 201710571326.3 | 申請日： | 2017-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN107272812A | 公開（公告）日： | 2017-10-20 |
| 發明（設計）人： | 劉桂芝;周堯 | 申請（專利權）人： | 上海南麟電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/577 | 分類號： | G05F1/577;G05F1/46 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201210 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 盡管 基準 電流 電路 | ||
1.一種耗盡管基準電流源電路，其特征在于，所述耗盡管基準電流源電路至少包括：
耗盡型NMOS管、第一分壓電阻、第二分壓電阻、電容、誤差放大器、參考電壓模塊；
所述耗盡型NMOS管的漏端連接第一電壓、源端連接第一分壓電阻的一端、柵端連接所述誤差放大器的輸出端，受所述誤差放大器的輸出信號控制調整所述耗盡管基準電流源電路的輸出電流；
所述第一分壓電阻的另一端經過所述第二分壓電阻后連接第二電壓；
所述電容的上極板連接所述耗盡型NMOS管的源端、下極板連接所述第二電壓；
所述誤差放大器的第一輸入端連接所述第一分壓電阻及所述第二分壓電阻的中間節點、第二輸入端連接所述參考電壓模塊的電壓輸出端，將所述第二分壓電阻上的反饋電壓與所述參考電壓模塊輸出的參考電壓進行比較，并輸出所述耗盡型NMOS管的柵端控制信號；
其中，所述第一電壓大于所述第二電壓。
2.根據權利要求1所述的耗盡管基準電流源電路，其特征在于：所述耗盡型NMOS管的源端電壓作為所述誤差放大器及所述參考電壓模塊的工作電壓，所述第二電壓作為所述誤差放大器及所述參考電壓模塊的參考地。
3.根據權利要求1所述的耗盡管基準電流源電路，其特征在于：所述第二分壓電阻為零溫度系數的電阻。
4.根據權利要求1所述的耗盡管基準電流源電路，其特征在于：所述誤差放大器的反相輸入端連接所述反饋電壓、正相輸入端連接所述參考電壓。
5.根據權利要求1所述的耗盡管基準電流源電路，其特征在于：所述參考電壓模塊為與溫度無關的基準電壓產生模塊。
6.根據權利要求1所述的耗盡管基準電流源電路，其特征在于：所述耗盡管基準電流源電路的輸出電流滿足如下關系式：
其中，ID102為所述耗盡型NMOS管的漏端電流，R105為所述第二分壓電阻的阻值，VFB為所述反饋電壓，VRFEF為所述參考電壓。
7.根據權利要求6所述的耗盡管基準電流源電路，其特征在于：通過設定所述參考電壓為固定值、所述第二分壓電阻為固定電阻來實現恒流輸出。
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