[發明專利]復合基板的接合方法在審
| 申請號: | 201710571182.1 | 申請日: | 2017-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN108010831A | 公開(公告)日: | 2018-05-08 |
| 發明(設計)人: | 王興民;李瑞評;張延瑜;劉國華 | 申請(專利權)人: | 兆遠科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工業園*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合 接合 方法 | ||
1.一種復合基板的接合方法,應用于一接合裝置,該接合裝置包含有一機體,該機體中設置有一轉換腔室及一壓合腔室;該接合方法包含有下列步驟:
A.將至少一第一基板與至少一第二基板置于該機體中,其中,該第一基板具有一第一接合面,該第二基板具有一第二接合面;
B.于該機體中對該第一接合面與該第二接合面進行清潔;
C.將該第一基板與該第二基板傳送至該轉換腔室中,該轉換腔室內的壓力為小于一大氣壓的一第一壓力,且于該轉換腔室中將該第二基板翻面,使該第二接合面朝下;
D.將該第一基板及翻面后的該第二基板傳送至一壓合腔室中,并使該第一基板的第一接合面與該第二基板的第二接合面相面對,其中該壓合腔室內的壓力為小于該第一壓力的一第二壓力;
E.對該第一接合面與該第二接合面進行活化處理;以及
F.令該第一基板與該第二基板相靠近,使該第一接合面與該第二接合面相接觸而接合。
2.如權利要求1所述的復合基板的接合方法,其中步驟B中是將該第一基板與該第二基板移至該機體中的一清潔腔室中,并在該清潔腔室中對該第一接合面與該第二接合面進行清潔。
3.如權利要求2所述的復合基板的接合方法,其中步驟B包含:
將清潔后的第一基板與第二基板由該清潔腔室移至一前置真空腔室中,并對該前置真空腔室抽真空,使該前置真空腔室內的壓力為一第三壓力,其中該第三壓力小于一大氣壓且大于該第一壓力。
4.如權利要求3所述的復合基板的接合方法,其中步驟B包含:
將該第一基板與該第二基板由該前置真空腔室傳送至另一清潔腔室中,并在該另一清潔腔室對該第一接合面與該第二接合面進行清潔;
其中,步驟C中是將該第一基板與該第二基板由該另一清潔腔室傳送至該轉換腔室。
5.如權利要求4所述的復合基板的接合方法,其中步驟C之前包含,在該第一基板與該第二基板于該另一清潔腔室清潔后,對該另一清潔腔室進行抽真空,使該另一清潔腔室內的壓力為該第三壓力;步驟C中是先將該轉換腔室的壓力提升至該第三壓力,再將該第一基板與該第二基板由該另一清潔腔室傳送至該轉換腔室;之后再對該轉換腔室抽真空,使該轉換腔室的壓力降至該第一壓力。
6.如權利要求2所述的復合基板的接合方法,其中步驟A中包含,將該第一基板與該第二基板由該機體中的一裝載腔室移至該機體中的一前置真空腔室,并對該前置真空腔室抽真空,使該前置真空腔室內的壓力為一第三壓力,其中該第三壓力小于一大氣壓且大于該第一壓力;
其中,步驟B中是將該第一基板與該第二基板由該前置真空腔室傳送至該清潔腔室中;
其中,步驟C中是將該第一基板與該第二基板由該清潔腔室傳送至該轉換腔室。
7.如權利要求6所述的復合基板的接合方法,其中步驟C之前包含,在該第一基板與該第二基板于該清潔腔室清潔后,對該清潔腔室進行抽真空,使該清潔腔室內的壓力為該第三壓力;步驟C中是先將該轉換腔室的壓力提升至該第三壓力,再將該第一基板與該第二基板由該清潔腔室傳送至該轉換腔室;之后再對該轉換腔室抽真空,使該轉換腔室的壓力降至該第一壓力。
8.如權利要求1所述的復合基板的接合方法,其中步驟B中是以至少一種液態的惰性氣體所形成的冷凍煙霧沖擊該第一接合面與該第二接合面。
9.如權利要求8所述的復合基板的接合方法,其中步驟B中該至少一種液態的惰性氣體包含液態的氬氣。
10.如權利要求9所述的復合基板的接合方法,其中步驟B中該至少一種液態的惰性氣體的數量為多種,包含液態的氮氣,且該些液態的惰性氣體所形成的冷凍煙霧之中,氬氣的含量高于氮氣的含量。
11.如權利要求1所述的復合基板的接合方法,其中步驟B中是以清潔液清洗該第一接合面與該第二接合面。
12.如權利要求11所述的復合基板的接合方法,其中步驟B中以清潔刷刷洗沾有清潔液的該第一接合面與該第二接合面。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





