[發(fā)明專利]基于憶阻器的雙差分負(fù)反饋數(shù)據(jù)讀取電路及其方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710570860.2
• 申請(qǐng)日: 2017-07-13
• 公開（公告）號(hào): CN107195323A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴瀾;陳綱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 高科創(chuàng)芯（北京）科技有限公司
• 主分類號(hào): G11C13/00
• 分類號(hào): G11C13/00
• 代理公司: 北京奧翔領(lǐng)智專利代理有限公司11518
• 代理人: 路遠(yuǎn)

1.一種基于憶阻器的雙差分負(fù)反饋數(shù)據(jù)讀出電路，包括字線WL子電路，其特征在于，該數(shù)據(jù)讀出電路還包括比較器COMP、比較器COMP的反相輸入端支路以及比較器COMP正相輸入端支路；所述字線WL子電路與所述比較器COMP的反相輸入端支路電相連；所述比較器COMP的正相輸入端支路與由一參考電阻單元Rref串聯(lián)一參考電流源Iref組成的自適應(yīng)子電路電連接；所述比較器COMP根據(jù)反相輸入端支路輸入的電壓Vm與所述正相輸入端輸入的參考基準(zhǔn)電壓Vr進(jìn)行比較，產(chǎn)生DQ信號(hào)完成憶阻器存儲(chǔ)單元信號(hào)/數(shù)據(jù)讀出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于憶阻器的雙差分負(fù)反饋數(shù)據(jù)讀出電路，其特征在于，所述字線WL子電路為一晶體管T1串聯(lián)一阻變單元R的憶阻器存儲(chǔ)單元構(gòu)成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述基于憶阻器的雙差分負(fù)反饋數(shù)據(jù)讀出電路，其特征在于，所述字線WL子電路的阻變單元R的一端與晶體管T2的源極/漏極電連接，所述晶體管T2的漏極/源極同時(shí)與放大器AMP1的反相端和晶體管T3的源極/漏極電連接，所述晶體管T3的漏極/源極與晶體管T4的漏極電連接；所述晶體管T2的柵極與讀使能端電連接；所述晶體管T3的柵極與放大器AMP1的輸出端Vl_mat電連接；所述晶體管T4的源極連接工作電源VDD，晶體管T4的柵極與所述比較器COMP的反相輸入端電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于憶阻器的雙差分負(fù)反饋數(shù)據(jù)讀出電路，其特征在于，所述自適應(yīng)子電路的參考電流源Iref端與晶體管T5的源極/漏極電連接，所述晶體管T5的漏極/源極與放大器AMP2的反相端和晶體管T6的源極/漏極電連接，所述晶體管T6的漏極/源極與晶體管T7的漏極電連接；所述晶體管T5的柵極與讀使能端電連接；所述晶體管T6的柵極與放大器AMP2的輸出端電連接；所述晶體管T7的源極連接工作電源VDD，晶體管T7的柵極連接所述比較器COMP的正相輸入端。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于憶阻器的雙差分負(fù)反饋數(shù)據(jù)讀出電路，其特征在于，所述晶體管T2、晶體管T3為N型MOS管，所述晶體管T4為P型MOS管。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述基于憶阻器的雙差分負(fù)反饋數(shù)據(jù)讀出電路，其特征在于，所述晶體管T5、晶體管T6為N型MOS管，所述晶體管T7為P型MOS管。

7.一種采用權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述基于憶阻器的雙差分負(fù)反饋數(shù)據(jù)讀取電路的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，包括如下步驟：

A、開啟字線WL，打開晶體管T1，從憶阻器存儲(chǔ)單元的阻變單元R值上面讀取到電流值Igen；

B、在1T1R子電路中，通過一個(gè)負(fù)反饋放大器AMP1進(jìn)行電流放大調(diào)節(jié)，并將該負(fù)反饋電流進(jìn)行放大，同時(shí)將該電流轉(zhuǎn)換成電壓Vm；同時(shí)，在自適應(yīng)子電路中，根據(jù)參考電阻Rref產(chǎn)生參考電流Iref，并將參考電流Iref經(jīng)過放大器AMP2產(chǎn)生另外一個(gè)參考基準(zhǔn)電壓Vr；

C、將電壓Vm與參考基準(zhǔn)電壓Vr進(jìn)行比較最終產(chǎn)生DQ信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)憶阻器存儲(chǔ)單元的信號(hào)/數(shù)據(jù)讀出。