[發明專利]半導體器件及用于制造其的方法

在審

• 申請號: 201710569298.1
• 申請日: 2017-07-13
• 公開（公告）號: CN108511524A
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 石城大;宋升珉;裵金鐘
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

第一納米線，在第一方向上延伸并與所述襯底間隔開；

柵電極，圍繞所述第一納米線的周邊、在交叉所述第一方向的第二方向上延伸并包括彼此相對的第一側壁和第二側壁；

第一柵極間隔物，形成在所述柵電極的所述第一側壁上，其中所述第一納米線穿過所述第一柵極間隔物；

第二柵極間隔物，形成在所述柵電極的所述第二側壁上，其中所述第一納米線穿過所述第二柵極間隔物；

源極/漏極，設置在所述柵電極的至少一側并與所述第一納米線連接；以及

間隔物連接器，設置在所述第一納米線與所述襯底之間，其中所述間隔物連接器將所述第一柵極間隔物和所述第二柵極間隔物彼此連接。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一柵極間隔物包括接觸所述第一納米線的頂表面和側表面的第一外間隔物以及接觸所述第一納米線的下表面的第一內間隔物，

其中所述第二柵極間隔物包括接觸所述第一納米線的所述頂表面和所述側表面的第二外間隔物以及接觸所述第一納米線的所述下表面的第二內間隔物，

其中所述第一外間隔物和所述第一內間隔物包括彼此不同的材料，以及

其中所述第二外間隔物和所述第二內間隔物包括彼此不同的材料。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一內間隔物和所述第二內間隔物包括彼此相同的材料。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述第一外間隔物和所述第二外間隔物彼此間隔開，

其中所述第一內間隔物和所述第二內間隔物通過所述間隔物連接器彼此連接。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中所述間隔物連接器以及所述第一內間隔物和所述第二內間隔物是單個一體的結構。

6.如權利要求1所述的半導體器件，還包括設置在所述第一納米線上并在所述第一方向上延伸的第二納米線，其中所述第一納米線和所述第二納米線彼此間隔開。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一柵極間隔物包括第一外間隔物、第一上部內間隔物和第一下部內間隔物，所述第一外間隔物接觸所述第二納米線的頂表面和側表面以及所述第一納米線的側表面，所述第一上部內間隔物接觸所述第二納米線的下表面以及所述第一納米線的頂表面，所述第一下部內間隔物接觸所述第一納米線的下表面，以及

其中所述第二柵極間隔物包括第二外間隔物、第二上部內間隔物和第二下部內間隔物，所述第二外間隔物接觸所述第二納米線的所述頂表面和所述側表面以及所述第一納米線的所述側表面，所述第二上部內間隔物接觸所述第二納米線的所述下表面以及所述第一納米線的所述頂表面，所述第二下部內間隔物接觸所述第一納米線的所述下表面。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一上部內間隔物和所述第一下部內間隔物包括彼此相同的材料，以及

其中所述第二上部內間隔物和所述第二下部內間隔物包括彼此相同的材料。

9.如權利要求7所述的半導體器件，其中所述第一下部內間隔物和所述第二下部內間隔物通過所述間隔物連接器彼此連接。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述間隔物連接器包括絕緣材料。