[發明專利]高溫靜電卡盤有效
| 申請號: | 201710569034.6 | 申請日: | 2017-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN109256357B | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發明(設計)人: | 李新穎;李冰;趙夢欣 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;羅瑞芝 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高溫 靜電 卡盤 | ||
1.一種高溫靜電卡盤,包括基座和設置于所述基座上方的卡盤主體,所述卡盤主體用于支撐晶片,所述卡盤主體的外側環繞設置有壓環和沉積環,所述壓環用于對所述卡盤主體進行限位,所述沉積環位于所述壓環的上方,其特征在于,所述壓環開設有豁口,所述沉積環和/或所述基座在對應所述豁口的區域設置有接觸腳,所述接觸腳使得所述沉積環與所述基座直接接觸,并使所述沉積環與所述壓環在所述卡盤主體的軸向方向上具有安全距離。
2.根據權利要求1所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述豁口和所述接觸腳成對設置,所述豁口的形狀和所述接觸腳的形狀匹配。
3.根據權利要求2所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述豁口和所述接觸腳包括多對,多對所述豁口和所述接觸腳沿所述卡盤主體的周向均勻分布。
4.根據權利要求1所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述豁口和所述接觸腳均為環形,所述豁口的形狀和所述接觸腳的形狀匹配。
5.根據權利要求1所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述豁口開設于所述壓環的徑向外邊緣;在所述沉積環的徑向外邊緣且對應所述豁口的區域設置有朝向所述基座的一側延伸形成的所述接觸腳,所述接觸腳與所述基座直接接觸。
6.根據權利要求1所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述豁口開設于所述壓環的徑向外邊緣;在所述基座的徑向外邊緣且對應所述豁口的區域設置有朝向所述沉積環的一側延伸形成的所述接觸腳,所述接觸腳與所述沉積環直接接觸。
7.根據權利要求1所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述豁口開設于所述壓環的徑向外邊緣;在所述沉積環的徑向外邊緣且對應所述豁口的區域設置有朝向所述基座的一側延伸形成的第一接觸腳;在所述基座的徑向外邊緣且對應所述豁口的區域朝向所述沉積環的一側延伸形成的第二接觸腳;所述第一接觸腳和所述第二接觸腳直接接觸。
8.根據權利要求1-7任一項所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述基座與所述沉積環通過所述接觸腳直接接觸的面位于同一水平面。
9.根據權利要求1-7任一項所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述接觸腳的厚度大于所述壓環的厚度。
10.根據權利要求1-7任一項所述的高溫靜電卡盤,其特征在于,所述接觸腳與所述壓環的外邊緣相離設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





