[發(fā)明專利]一種含雜蒽芘化合物及其有機(jī)發(fā)光器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710568881.0
• 申請(qǐng)日: 2017-07-13
• 公開（公告）號(hào): CN107188848A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡輝;劉喜慶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長春海譜潤斯科技有限公司
• 主分類號(hào): C07D219/02
• 分類號(hào): C07D219/02;C07D409/14;C09K11/06;H01L51/54
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1.一種含雜蒽芘化合物，其特征在于，所述雜蒽芘衍生物分子通式為：

[化學(xué)式1]

其中，R1～R6是互相一樣或不一樣的取代或未取代的氫原子、取代或未取代的C1～C60烷基、取代或未取代的C1～C60烷氧基、取代或未取代C1～C60醚烷基、取代或未取代的C6～C60芳基、取代或未取代的C5～C60稠環(huán)基和雜環(huán)基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1，其特征在于，包括下述化學(xué)式中任意一個(gè)表示特定的雜蒽芘的化合物：

3.一種有機(jī)發(fā)光器件，包括第一電極、第二電極和置于所述兩電極之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)化合物層，其特征在于，至少一個(gè)有機(jī)化合物層包含至少一種，如權(quán)利要求1～2中記載的雜蒽芘化合物。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種有機(jī)發(fā)光器件，有機(jī)物層包括空穴注入層、空穴傳輸層和空穴注入技能及空穴傳輸技能同時(shí)具備的技能層，電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和電子傳輸技能及電子注入技能同時(shí)具備的技術(shù)層，所述有機(jī)物層中至少一個(gè)包括如權(quán)利要求1～2中記載的雜蒽芘化合物。