[發明專利]一種耐用性測試方法有效
| 申請號： | 201710567326.6 | 申請日： | 2017-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN107346668B | 公開（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發明（設計）人： | 張宇飛;龔斌 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/18 | 分類號： | G11C29/18;G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 耐用性 測試 方法 | ||
1.一種耐用性測試方法，應用于一閃存；所述閃存包括一芯片，所述芯片包括多個塊，每個所述塊包括多個扇區；其特征在于，所述耐用性測試方法包括：
執行第一擦寫操作第一預定數量次；
執行第二擦寫操作第二預定數量次；以及
根據所有擦除操作的測試結果對所述閃存進行耐用性評估；
所述第一擦寫操作包括：
步驟a1，取所述芯片中任意一塊為當前塊，對所述當前塊中的每個所述扇區進行扇區擦除操作；
步驟a2，對所述芯片中除所述當前塊以外的其他塊按一預定順序進行塊擦除操作；
步驟a3，寫所述芯片；
所述第二擦寫操作包括：
步驟b1，對所述當前塊執行扇區擦除操作；
步驟b2，于所述芯片中除所述當前塊以外的其他塊中以預定策略選取的第三預定數量的塊，對被選取的所述塊按所述預定順序進行塊擦除操作；
步驟b3，寫所述步驟b2中被擦除的塊。
2.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，所述第一預定數量次為10k次。
3.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，所述第二預定數量次為90k次。
4.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，所述預定順序為一編號順序，依照所述編號順序依次對所述芯片中除所述當前塊以外的其他塊進行所述塊擦除操作。
5.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，所述步驟a1中，所述預定順序為一隨機順序，依照所述隨機順序依次對所述芯片中除所述當前塊以外的其他塊進行所述塊擦除操作。
6.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，每個所述塊中的所述扇區的數量為16個。
7.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，每個所述塊的存儲容量為0.5MB。
8.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，所述步驟b2中，所述預定策略為，對所述塊進行編號，取除所述當前塊以外的第1至第X塊，當所述當前塊的編號處于1至X中時，X＝所述第三預定數量+1，當所述當前塊的編號不處于1至X中時，X＝所述第三預定數量。
9.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，所述步驟b2中，所述預定策略為，對所述塊進行編號，取除所述當前塊以外的第X至第Y塊，所述第Y塊為多個所述塊中的最后一塊，當所述當前塊的編號處于X至Y中時，Y-X＝所述第三預定數量，當所述當前塊的編號不處于X至Y中時，Y-X＝所述第三預定數量-1。
10.根據權利要求1所述的耐用性測試方法，其特征在于，所述步驟b2中，所述預定策略為隨機選擇策略，采用所述隨機選擇策略選取所述第三預定數量的塊。
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