[發明專利]一種硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構

在審

• 申請號: 201710566625.8
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107170739A
• 公開（公告）日: 2017-09-15
• 發明（設計）人: 劉吉平;張懷東;周蘊言;馮冰
• 申請（專利權）人: 深圳市航順芯片技術研發有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構，其特征在于，包括NMOS管，內部電路，端口以及N型有源區注入電阻，所述NMOS管分別與所述內部電路以及所述端口連接，所述NMOS管上設置有所述N型有源區注入電阻，所述N型有源區注入電阻分別與所述內部電路以及所述端口連接，所述內部電路與所述端口相連接。

2.根據權利要求1所述的硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構，其特征在于，所述NMOS管的柵極通過接地電阻接地。

3.根據權利要求1所述的硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構，其特征在于，所述NMOS管的柵極直接接地。

4.根據權利要求1所述的硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構，其特征在于，還包括有源區電阻，且所述內部電路通過所述有源區電阻分別與所述端口以及所述N型有源區注入電阻相連接。

5.根據權利要求1所述的硅柵MOS集成電路ESD保護電路結構，其特征在于，還包括多晶電阻，且所述內部電路通過所述多晶電阻分別與所述端口以及所述N型有源區注入電阻相連接。