[發明專利]制作半導體裝置的方法在審
| 申請號： | 201710565776.1 | 申請日： | 2017-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN108231663A | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發明（設計）人： | 朱韋臻;楊岱宜;莊正吉;吳佳典 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖案結構 介電層 間隙壁 自對準 開口 導電材料 沉積 蝕刻 半導體裝置 多重金屬 內容描述 圖案化光 互連 填隙 移除 制作 | ||
【權利要求書】：
1.一種制作半導體裝置的方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
形成一介電層于該基板上；
形成一第一圖案結構及一第二圖案結構于該介電層上，其中該第一圖案結構及第二圖案結構各包括一第一間隙壁、一第二間隙壁及介于該第一間隙壁及該第二間隙壁間的一中央部分；
形成一第一開口于該介電層中，其中該第一開口自對準于介于該第一圖案結構及該第二圖案結構間的一空間；
沉積一第一導電材料于該第一開口中；
移除該第二圖案結構的該中央部分以形成一空隙于該介電層上方且介于該第二圖案結構的該第一間隙壁及該第二間隙壁間；
形成一第二開口于該介電層中，其中該第二開口自對準于該空隙；以及
沉積一第二導電材料于該第二開口中，其中該第二導電材料與該第一導電材料不同。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
