[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及有機電致發(fā)光顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710565617.1 | 申請日: | 2017-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN107316946A | 公開(公告)日: | 2017-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王湘成;濱田;牛晶華;華萬鳴 | 申請(專利權(quán))人: | 上海天馬有機發(fā)光顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 器件 顯示 面板 | ||
1.一種有機電致發(fā)光器件,其特征在于,包括:空穴注入層,所述空穴注入層含有P型摻雜物及其基質(zhì)材料,其中,所述基質(zhì)材料具有式I所示的化學(xué)結(jié)構(gòu),R1-R36為H或烷基;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述P型摻雜物包括無機氧化物半導(dǎo)體或有機物半導(dǎo)體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述P型摻雜物包括無機氧化物半導(dǎo)體和有機物半導(dǎo)體的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求2-3之一所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述無機氧化物半導(dǎo)體包括以下至少一種:MoO3、V2O5、WO3、ZnO,所述有機物半導(dǎo)體包括以下至少一種:TCNQ、F4-TCNQ、軸烯化合物、上述材料的聚合物和上述材料的衍生物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述P型摻雜物包括以下至少一種:MoO3、V2O5、WO3、ZnO。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述P型摻雜物為MoO3。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,R1-R36為H。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述基質(zhì)材料中全部摻雜或部分摻雜有所述P型摻雜物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述P型摻雜物在所述基質(zhì)材料中的摻雜體積比為4%-25%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述P型摻雜物在所述基質(zhì)材料中的摻雜體積比為5%-20%。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,還包括:電子阻擋層,所述電子阻擋層含有P型摻雜物及其基質(zhì)材料,其中,所述基質(zhì)材料具有式I所示的化學(xué)結(jié)構(gòu),R1-R36是H或烷基。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,所述有機電致發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管器件、有機場效應(yīng)晶體管器件或者有機光伏器件。
13.一種有機電致發(fā)光顯示面板,其特征在于,包括陣列排布的如權(quán)利要求1-12任意一項所述的有機電致發(fā)光器件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





