[發(fā)明專(zhuān)利]一種倒裝HV-LED光源及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710565522.X
• 申請(qǐng)日: 2017-07-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107195762B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何苗;王成民;熊德平;楊思攀;黃波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/52
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/52;H01L33/60;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種倒裝HV?LED光源及其制備方法，其中，所述倒裝HV?LED光源的反射膜和金屬層共同構(gòu)成了所述倒裝HV?LED光源中的HV?LED芯片的反光面，提升了HV?LED芯片的光源利用率，從而提升了所述倒裝HV?LED光源的出光效率；另外，所述倒裝HV?LED光源中的封裝層與所述基板表面所成角度為預(yù)設(shè)角度，為所述HV?LED芯片提供了一個(gè)反光杯結(jié)構(gòu)，使得所述HV?LED芯片的出射光線在其出射光路上能夠被該反光杯結(jié)構(gòu)反射向所述倒裝HV?LED光源的出光面，從而進(jìn)一步增強(qiáng)所述倒裝HV?LED芯片的出光效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種倒裝HV-LED光源及其制備方法。

背景技術(shù)

高壓發(fā)光二極管(High?Voltage?Light?Emitting?Diode，HV-LED)光源，又稱(chēng)高亮度發(fā)光二極管光源，是一種新型的固態(tài)照明光源，其額定電壓可達(dá)30V-70V，具有光電轉(zhuǎn)換效率高、環(huán)保無(wú)污染、可靠性高、響應(yīng)時(shí)間快、輻射效率高和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。

由于傳統(tǒng)的DC-LED芯片在大電流低電壓下工作，為提升其工作電壓，一般采用集成封裝結(jié)構(gòu)，即將多顆芯片串并聯(lián)，而HV-LED光源直接在芯片級(jí)就實(shí)現(xiàn)了微晶粒的串并聯(lián)，并在低電流高電壓下工作，HV-LED光源不僅能夠?qū)⒓佑徒涣麟娡ㄟ^(guò)外接全波整流器驅(qū)動(dòng)，也可采用直流驅(qū)動(dòng)，運(yùn)用范圍廣。現(xiàn)有的HV-LED光源主要分為正裝HV-LED光源和倒裝HV-LED光源，其中，正裝HV-LED光源是指把HV-LED芯片的電極朝上，襯底朝下的方式用粘結(jié)材料與支架連接，然后在電極上打線與支架相連，從而實(shí)現(xiàn)HV-LED芯片與電極的電連接。正裝HV-LED光源由于電極和電極焊接點(diǎn)都在HV-LED芯片出光面方向上，由于電極和電極焊接點(diǎn)都會(huì)吸收部分光線，而降低光源的出光效率。

為了解決正裝HV-LED光源的上述問(wèn)題，倒裝HV-LED光源應(yīng)運(yùn)而生，傳統(tǒng)的倒裝HV-LED光源通過(guò)HV-LED芯片的倒裝焊解決了電極和電極焊接點(diǎn)的遮光問(wèn)題，但是如何對(duì)倒裝HV-LED光源的封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步的改善，以進(jìn)一步提升倒裝HV-LED光源的出光效率，成為相關(guān)領(lǐng)域研究人員努力的方向之一。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種倒裝HV-LED光源及其制備方法，以實(shí)現(xiàn)提高倒裝HV-LED光源的出光效率的目的。

為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案：

一種倒裝HV-LED光源，包括：

至少一個(gè)HV-LED芯片；

基板，所述基板表面具有至少一個(gè)凹槽；

位于每個(gè)所述凹槽背離所述基板一側(cè)表面的反射膜，每個(gè)所述反射膜表面設(shè)置一個(gè)所述HV-LED芯片，所述HV-LED芯片的出光面背離所述反射膜；

位于所述基板表面的金屬層、第一電極和第二電極，所述金屬層用于實(shí)現(xiàn)所述至少一個(gè)HV-LED芯片與所述第一電極和第二電極的電連接；

位于所述至少一個(gè)HV-LED芯片背離所述基板一側(cè)的封裝層，所述封裝層覆蓋所述至少一個(gè)HV-LED芯片及所述金屬層，且與所述基板表面所成角度為預(yù)設(shè)角度；

所述封裝層包括：功能層以及包圍所述功能層的支撐結(jié)構(gòu)；

所述功能層包括：

覆蓋所述至少一個(gè)HV-LED芯片及所述金屬層的第一熒光粉層；

位于所述熒光粉背離所述金屬層一側(cè)表面的保護(hù)層；

所述預(yù)設(shè)角度的取值范圍為，0°-90°，不包括端點(diǎn)值。

可選的，所述金屬層包括：走線層和至少一個(gè)連接結(jié)構(gòu)；

每個(gè)所述連接結(jié)構(gòu)位于一個(gè)所述凹槽中，一個(gè)所述連接結(jié)構(gòu)用于連接一個(gè)所述HV-LED芯片；