[發明專利]一種LED芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 201710565517.9
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107293623A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 鄔新根;劉英策;李俊賢;吳奇隆;魏振東;周弘毅;蔡麗鶴;黃興茂
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/60;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本申請涉及發光器件技術領域，更具體地說，涉及一種LED芯片及其制備方法。

背景技術

LED(發光二極管，Light Emitting Diode)芯片，也稱為LED發光芯片，是LED燈的核心組件。倒裝LED芯片是指出光面位于芯片背面的LED芯片，倒裝LED芯片的出現解決了傳統正裝LED芯片的電極遮光導致的發光效率低的問題，以及無法適用于大電流驅動和金線斷裂的可靠性問題。

但是在現有的倒裝LED芯片的制備過程中，反射層的制備成為制約倒裝LED芯片質量的關鍵步驟，在制備反射層時，通常通過在多量子阱層表面形成銀金屬層，然后通過刻蝕銀金屬層的方式形成位于P型氮化鎵層表面的反射層。這種制備反射層的方式可能會導致銀金屬層污染多量子阱層的情況出現，這是由于銀金屬具有良好的擴散特性，極易在制備過程中滲透到多量子阱層中，從而出現多量子阱層失效的情況出現。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供了一種LED芯片及其制備方法，以實現避免反射層在制備過程中污染或滲透到多量子阱層中，而導致多量子阱層失效的情況出現的目的。

為實現上述技術目的，本發明實施例提供了如下技術方案：

一種LED芯片的制備方法，包括：

提供襯底，所述襯底表面具有外延結構，至少具有N型氮化鎵層、多量子阱層、P型氮化鎵層；

在所述的外延結構上蝕刻形成至少一個凹槽，露出N型氮化鎵層；

在所述外延結構表面依次形成絕緣層和反射層；

所述絕緣層包括多個絕緣單元，每個所述絕緣單元覆蓋一個所述外延結構的多量子阱的側壁，所述反射層位于所述絕緣單元之間。

可選的，在所述外延結構表面依次形成絕緣層和反射層包括：

在所述外延結構表面沉積一層絕緣材料層；

在所述絕緣材料層表面涂覆光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光、顯影，形成第一掩膜；

以所述第一掩膜為掩膜，對所述絕緣材料層進行刻蝕，形成覆蓋所述多量子阱側壁的多個絕緣單元，所述多個絕緣單元構成所述絕緣層；

在裸露的外延結構及所述第一掩膜表面制備金屬層；

剝離位于所述第一掩膜表面的金屬層，并去除所述第一掩膜，形成位于所述絕緣單元之間的金屬層。

可選的，在所述外延結構表面依次形成絕緣層和反射層包括：

在所述外延結構表面沉積一層絕緣材料層；

在所述絕緣材料層表面涂覆光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光、顯影，形成第一掩膜；

以所述第一掩膜為掩膜，對所述絕緣材料層進行刻蝕，形成覆蓋所述多量子阱側壁的多個絕緣單元，所述多個絕緣單元構成所述絕緣層；

去除所述第一掩膜；

在裸露的外延結構及所述絕緣層表面制備金屬層；

在所述金屬層表面涂覆光刻膠，并對涂覆的光刻膠進行曝光、顯影，形成第二掩膜；

以所述第二掩膜為掩膜，對所述金屬層進行刻蝕，形成位于所述絕緣單元之間的反射層。

可選的，所述金屬層為銀金屬層。

可選的，所述絕緣材料層為二氧化硅層或氮化硅層。

一種LED芯片，包括：

襯底，所述襯底表面具有外延結構，所述外延結構至少具有N型氮化鎵層、多量子阱層、P型氮化鎵層和至少一個凹槽，所述凹槽貫穿所述多量子阱層和P型氮化鎵層，并部分貫穿所述N型氮化鎵層；

覆蓋所述外延結構的多量子阱側壁的多個絕緣單元，所述多個絕緣單元構成絕緣層；

位于所述絕緣單元之間的反射層。

可選的，所述絕緣層為氮化硅層或二氧化硅層。

可選的，所述反射層為銀反射層。

從上述技術方案可以看出，本發明實施例提供了一種LED芯片及其制備方法，其中，所述LED芯片的制備方法在制備反射層之前，在所述外延結構表面形成了一層包括多個絕緣單元的絕緣層，每個所述絕緣單元覆蓋一個所述外延結構的多量子阱的側壁，避免了在制備反射層的過程中，反射層材料污染或滲透到多量子阱層中的情況出現，避免了多量子阱層因此而失效的情況出現，提升了倒裝LED芯片的制備良率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。