[發(fā)明專利]一種基于SiC MOSFET直流固態(tài)斷路器抑制關(guān)斷過電壓的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710565467.4 | 申請日: | 2017-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN107171292B | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李輝;廖興林;黃樟堅;謝翔杰;王坤;姚然;胡姚剛;何蓓 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶大學(xué) |
| 主分類號: | H02H7/20 | 分類號: | H02H7/20;H02H9/04 |
| 代理公司: | 北京同恒源知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275 | 代理人: | 趙榮之 |
| 地址: | 400044 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 sicmosfet 直流 固態(tài) 斷路器 抑制 過電壓 裝置 | ||
1.一種基于SiC MOSFET直流固態(tài)斷路器抑制關(guān)斷過電壓的裝置,包含直流固態(tài)斷路器,其特征在于:所述直流固態(tài)斷路器還包括電流檢測系統(tǒng)、驅(qū)動系統(tǒng)和功率半導(dǎo)體固態(tài)開關(guān)器件;所述功率半導(dǎo)體固態(tài)開關(guān)器件設(shè)置在主電路中用于主電路的分合,所述電流檢測系統(tǒng)用于檢測所述直流固態(tài)斷路器的主電路電流,所述驅(qū)動系統(tǒng)接收來自電流檢測系統(tǒng)的信號,并控制所述功率半導(dǎo)體固態(tài)開關(guān)器件的分合;
所述電流檢測系統(tǒng)用于檢測電路是否發(fā)生故障和確定斷路器關(guān)斷時刻;
所述驅(qū)動系統(tǒng)用于控制直流固態(tài)斷路器正常工作和分?jǐn)啵?/p>
所述功率半導(dǎo)體固態(tài)開關(guān)器件用于維持直流系統(tǒng)正常工作和故障時切斷故障電流保證直流系統(tǒng)安全;
所述直流固態(tài)斷路器還包括緩沖電路支路和能量吸收支路,所述緩沖電路支路和能量吸收支路并聯(lián)設(shè)置于所述直流固態(tài)斷路器的主電路上;
所述緩沖電路支路為由壓敏電阻構(gòu)成的緩沖電路,用于抑制所述直流固態(tài)斷路器關(guān)斷初期的過電壓;
所述能量吸收支路為由壓敏電阻構(gòu)成的能量吸收電路,用于吸收直流系統(tǒng)寄生電感的能量;
所述壓敏電阻構(gòu)成的緩沖電路和所述壓敏電阻構(gòu)成的能量吸收電路按照公式:
進(jìn)行配置,式中,a表示壓敏電阻構(gòu)成的緩沖電路和壓敏電阻構(gòu)成的能量吸收電路的額定電壓比率,UMOV_in表示壓敏電阻構(gòu)成的緩沖電路的額定電壓,UMOV_ex表示壓敏電阻構(gòu)成的能量吸收電路的額定電壓。
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