[發明專利]嵌段共聚物氫化物

有效

• 申請號: 201710564595.7
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107663245B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發明（設計）人: 栗原龍太;小原禎二
• 申請（專利權）人: 日本瑞翁株式會社
• 主分類號: C08F8/04
• 分類號: C08F8/04;C08F297/04;C08K5/134
• 代理公司: 北京柏杉松知識產權代理事務所(普通合伙) 11413
• 代理人: 邵秋雨;趙曦

本發明提供一種新的嵌段共聚物氫化物[D]，其是通過維持耐熱性及機械強度、改善熔融時的流動性，從而有利于縮痕小、厚壁的光學構件的成型的嵌段共聚物氫化物，上述嵌段共聚物氫化物[D]是對由2個聚合物嵌段[A]和1個聚合物嵌段B組成的嵌段共聚物[C]進行氫化而得到的，上述聚合物嵌段[A]將來自芳香族乙烯基化合物的結構單元作為主成分，上述聚合物嵌段[B]將來自鏈狀共軛二烯化合物的結構單元作為主成分，在2個聚合物嵌段[A]中，在將分子量小的嵌段設為聚合物嵌段[A1]、將分子量大的嵌段設為聚合物嵌段[A2]的情況下，聚合物嵌段[A1]和聚合物嵌段[A2]的分子量為特定的范圍。

技術領域

本發明涉及嵌段共聚物氫化物，特別涉及具有脂環結構的新的嵌段共聚物氫化物。

背景技術

在光學透鏡、棱鏡、鏡子、光盤等光學構件中，對降冰片烯系的環狀烯烴進行開環聚合、進行氫化而得到的開環復分解聚合物氫化物、環狀烯烴和乙烯等的無規共聚物發揮它們的透明性、耐熱性、低吸濕性、低雙折射性等特性而被廣泛使用。

另一方面，專利文獻1、2公開了將芳香族乙烯基化合物聚合物的芳香環氫化了的芳香族乙烯基化合物共聚物氫化物、將嵌段共聚物[C]的來自芳香環及共軛二烯化合物的雙鍵氫化了的嵌段共聚物氫化物[D]具有優異的耐光性、低雙折射性、耐熱黃變性，特別是作為使用藍色激光的光學構件、材料是有用的，應予說明的是，上述嵌段共聚物[C]是由將來自芳香族乙烯基化合物的結構單元作為主成分的聚合物嵌段[A]和將來自鏈狀共軛二烯化合物的結構單元作為主成分的聚合物嵌段[B]組成的。此外，專利文獻3～5公開了嵌段共聚物氫化物[D]由于低雙折射性、機械強度等優異，因此作為相位差膜、偏振片保護膜等光學膜的材料是有用的。

然而，就將來自芳香族乙烯基化合物的結構單元作為主成分的聚合物氫化物而言，其與對降冰片烯系的環狀烯烴進行開環聚合、進行氫化而得到的開環復分解聚合物氫化物、環狀烯烴和乙烯等的無規共聚物相比，熱膨脹系數大，即伴隨著溫度變化的體積變化大。因此，在例如將具有厚度10mm以上的厚壁部的厚壁的樹脂成型體熔融成型時，存在容易產生縮痕的這樣的問題。

此外，在對芳香族乙烯基化合物與鏈狀共軛二烯化合物的無規共聚物的來自芳香環及共軛二烯化合物的雙鍵進行氫化而得到的無規共聚物氫化物中，為了保持光學構件所要求的耐熱性(作為耐熱性的指標的玻璃化轉變溫度(以下，有時稱為“Tg”。)為120℃左右以上)和機械強度，需要將與芳香族乙烯基化合物共聚的鏈狀共軛二烯化合物的量相對于芳香族乙烯基化合物和鏈狀共軛二烯化合物的合計限制在5質量％左右，并且使重均分子量高達10萬左右以上。因此，熔融時的流動性差，在光學構件的成型中需要提高溫度，在將厚壁的光學構件熔融成型的情況下，難以使縮痕減輕。

另一方面，在對由聚合物嵌段[A]和聚合物嵌段[B]組成的嵌段共聚物[C]的主鏈及側鏈的碳-碳不飽和鍵以及芳香環的碳-碳不飽和鍵進行氫化而得到的嵌段共聚物氫化物[D]中，由于聚合物嵌段[A]的耐熱性較高，所以即使聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物氫化物[D]中所占的質量比例增加，也容易維持耐熱性，應予說明的是，上述聚合物嵌段[A]是將來自芳香族乙烯基化合物的結構單元作為主成分的，上述聚合物嵌段[B]是將來自鏈狀共軛二烯化合物的結構單元作為主成分的。因此，與無規共聚物氫化物相比，即使分子量小，也易于維持機械強度，能夠在更低溫熔融成型。

然而，即使在使用對由聚合物嵌段[A]和聚合物嵌段[B]組成的嵌段共聚物[C]的主鏈及側鏈的碳-碳不飽和鍵以及芳香環的碳-碳不飽和鍵進行氫化而得到的嵌段共聚物氫化物[D]的情況下，在將厚壁的光學構件熔融成型時，也沒有實現充分地改善縮痕的產生容易度，應予說明的是，上述聚合物嵌段[A]是將來自芳香族乙烯基化合物的結構單元作為主成分的，上述聚合物嵌段[B]是將來自鏈狀共軛二烯化合物的結構單元作為主成分的。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-83813號公報；