[發(fā)明專利]非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件及其制備方法

在審

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• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN107464829A
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅東向;劉佰全;肖鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山科學(xué)技術(shù)學(xué)院;佛山市格雷明光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司44205
• 代理人: 梁嘉琦

1.非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：包括基板、陽極、陰極和設(shè)置于所述陽極與陰極之間的有機功能層，所述有機功能層包括電荷生成層和非摻雜超薄發(fā)光層組件，所述電荷生成層與所述非摻雜超薄發(fā)光層組件相連接，所述非摻雜超薄發(fā)光層組件包括空穴注入層、空穴傳輸層、非摻雜超薄發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，所述空穴注入層、空穴傳輸層、非摻雜超薄發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層由下往上依次連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述電荷生成層的數(shù)量為N個，所述非摻雜超薄發(fā)光層組件的數(shù)量為N+1個，N≥1，所述電荷生成層和所述非摻雜超薄發(fā)光層組件相互間隔設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述非摻雜超薄發(fā)光層的光色為可見光、紫外光和紅外光中的任意一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述基板為玻璃，所述陽極為ITO薄膜，所述陰極為Al薄膜，所述電荷生成層由HAT-CN薄膜和NPB薄膜構(gòu)成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述空穴注入層為HAT-CN薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述空穴傳輸層為NPB薄膜和TCTA薄膜中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述非摻雜超薄發(fā)光層為Ir(dmppy)₂(dpp)薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述電子傳輸層為Bepp₂薄膜、Bepp₂:KBH₄薄膜和TmPyPB薄膜中的任意一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件，其特征在于：所述電子注入層為Cs₂CO₃薄膜。

10.應(yīng)用權(quán)利要求1-9任一所述的非摻雜超薄發(fā)光層制備串聯(lián)高效有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

A、在基板之上以濺射的方法制備陽極；

B、在陽極之上以真空蒸鍍的方法制備空穴注入層；

C、在空穴注入層之上以真空蒸鍍的方法依次制備兩個空穴傳輸層；

D、在最上一層的空穴傳輸層的上方以真空蒸鍍的方法制備非摻雜超薄發(fā)光層；

E、在非摻雜超薄發(fā)光層之上以真空蒸鍍的方法制備電子傳輸層；

F、在電子傳輸層之上以真空蒸鍍的方法制備電子注入層；

G、在電子注入層之上以真空蒸鍍的方法制備電荷生成層；

H、在電荷生成層之上以真空蒸鍍的方法制備空穴注入層；

I、在空穴注入層之上以真空蒸鍍的方法制備空穴傳輸層；

J、在空穴傳輸層之上以真空蒸鍍的方法制備非摻雜超薄發(fā)光層；

K、在非摻雜超薄發(fā)光層之上以真空蒸鍍的方法制備電子傳輸層；

L、在電子傳輸層之上以真空蒸鍍的方法制備電子注入層；

M、在電子注入層之上以真空蒸鍍的方法制備陰極。