[發明專利]一種發光二極管芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201710560564.4
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN107369751B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 吳政;李佳恩;臧雅姝;徐宸科
• 申請（專利權）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管芯片，具有：

半導體層序列，其具有在第一導電類型的層和第二導電類型的層之間的、設計用于產生輻射的第一有源層，其中

-所述第一導電類型的層與半導體層序列的正側相鄰，

-所述半導體層序列包含至少一個凹處，所述凹處從半導體層序列的與正側對置的背側穿過第一有源層延伸到第一導電類型的層，

-借助第一電連接層穿過所述凹處來電連接第一導電類型的層，其中第一電連接層至少局部地覆蓋半導體層序列的背側，

-第一電連接層與第二電連接層借助凹處的絕緣層，彼此電絕緣，

其特征在于：發光二極管芯片在所述凹處的區域中包含附屬發光二極管芯片結構，所述附屬發光二極管芯片結構具有第三導電類型的層和第四導電類型的層之間的、設計用于產生輻射的第二有源層，第三導電類型的層與第一電連接層電連接，所述第四導電類型的層與第一導電類型的層通過薄膜電連接層電連接，第一導電類型的層與第三導電類型的層導電類型相同，第二導電類型的層與第四導電類型的層導電類型相同。

2.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述凹處的開口直徑不小于100nm。

3.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述凹處的深度不小于1μm。

4.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述第一導電類型的層厚度為2μm~3μm。

5.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述絕緣層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮化鋁或者氧化鋁。

6.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述絕緣層采用的材料導熱系數不小于150w/m*k。

7.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述第一導電類型的層與凹處對應的正側表面有凹坑。

8.根據權利要求7所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述凹坑底部到薄膜電連接層距離為1μm~2μm。

9.根據權利要求7所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述凹坑的開口直徑不小于凹處的開口直徑。

10.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述薄膜電連接層的厚度為0.5nm~1nm。

11.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述薄膜電連接層的材料為Au或者In。

12.根據權利要求1所述的一種發光二極管芯片，其特征在于：所述第一有源層所輻射的波長與所述第二有源層所輻射的波長不同。