[發(fā)明專利]圖形化生長量子點的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710560071.0
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN107424914A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設計）人: 石震武;楊琳韻;霍大云;鄧長威;陳晨;彭長四
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C09K11/75;C09K11/66;B82Y40/00
• 代理公司: 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)32257
• 代理人: 李廣

1.一種圖形化生長量子點的方法，其特征在于：包括以下步驟：

a.應變基底的生長；

b.原位引入激勵源，利用激勵源產(chǎn)生周期性的溫度場去誘導所述應變基底的應力進行圖形化調(diào)制釋放，從而原位實現(xiàn)具有納米周期性分布的應力場的應力結構；

c.基于所述納米周期性分布的應力場的耦合誘導，在所述應力結構上生長相應的周期性量子點。

2.根據(jù)權利要求1所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的應變基底包括從下至上依次生長的襯底、中間應變結構、蓋層，所述的中間應變結構至少包括應變單層或應變基底超晶格薄層結構。

3.根據(jù)權利要求2所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的襯底與中間應變結構之間生長有緩沖層。

4.根據(jù)權利要求2所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的襯底為GaAs，所述的應變單層為InGaAs，所述的超晶格薄層結構為InGaAs/GaAs超晶格，所述的蓋層為GaAs。

5.根據(jù)權利要求3所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的緩沖層為GaAs。

6.根據(jù)權利要求4所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的InGaAs和GaAs的生長溫度為445℃～500℃。

7.根據(jù)權利要求4所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的InGaAs的生長速率為390～400nm/h，GaAs的生長速率為260～270nm/h。

8.根據(jù)權利要求1所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的步驟a中，As壓為6E-6Torr～7E-6Torr。

9.根據(jù)權利要求1所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的步驟b中，激勵源為激光干涉、電子束誘導或離子束誘導。

10.根據(jù)權利要求1所述的圖形化生長量子點的方法，其特征在于：所述的步驟c中，在襯底溫度為445℃～500℃時，在所述應力結構上InAs，生長速率為0.02～0.03ML/s。