[發明專利]GaN基激光器及其制備方法有效
| 申請號： | 201710559781.1 | 申請日： | 2017-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN107204567B | 公開（公告）日： | 2019-08-20 |
| 發明（設計）人： | 趙德剛;梁鋒 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gan 激光器 及其 制備 方法 | ||
1.一種氮化鎵基激光器的制備方法，其包括以下步驟：
S1：在氮化鎵襯底上依次生長n型限制層、下波導層、量子阱有源區、復合上波導層、p型電子阻擋層、p型限制層、p型歐姆接觸層；
S2：將p型歐姆接觸層、p型限制層、p型電子阻擋層和復合上波導層刻蝕成激光器脊型；
S3：在制作成的脊型上生長一層氧化膜，并采用光刻的方法制作p型歐姆電極；
S4：將氮化鎵襯底減薄、清洗，并在上面制作n型歐姆接觸電極；
S5：進行解理、鍍膜，然后封裝在管殼上，制成一種具有復合上波導層的氮化鎵基激光器，完成制備；其中，
所述復合上波導層為不摻雜或輕摻雜的銦鎵氮層-氮化鎵層-鋁鎵氮層的復合結構，各層厚度為0.005-0.1μm，三層總厚度為0.05-0.15μm。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述量子阱有源區的量子阱個數為1-5個，量子阱的材料為銦鎵氮材料，量子阱厚度為1-10nm，量子壘材料為銦鎵氮材料，量子壘的厚度為1-20nm。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述n型限制層的材料為n型鋁鎵氮材料，厚度為0.6-2.5μm，鋁組分為0.05-0.1。
4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述下波導層的材料為n型銦鎵氮材料，厚度為0.03-0.12μm，銦鎵氮材料中銦組分為0％-10％。
5.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述p型電子阻擋層的材料為重摻雜的鋁鎵氮材料，厚度為0.01-0.025μm，鋁組分為0.1-0.3。
6.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述p型限制層的材料為p型鋁鎵氮材料，厚度為0.45-0.65μm，鋁組分為0.05-0.12。
7.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述p型接觸層的材料為重摻雜的p型氮化鎵材料，厚度為0.02-0.04μm。
8.一種氮化鎵基激光器，其特征在于，包括：
依次生長在氮化鎵襯底上的n型限制層、下波導層、量子阱有源區、復合上波導層、p型電子阻擋層、p型限制層、p型歐姆接觸層；
其中，復合上波導層為銦鎵氮層-氮化鎵層-鋁鎵氮層的復合結構。
9.根據權利要求8所述的氮化鎵基激光器，其特征在于，對于所述復合上波導層，各層厚度為0.005-0.1μm，三層總厚度為0.05-0.15μm。
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