[發明專利]一種具有量子阱保護層的發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201710559480.9
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN107302043A
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 林繼宏;林兓兓;蔡吉明;張家宏
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有量子阱保護層的發光二極管，其至少包括N型半導體層、應力釋放層、多量子阱結構層、低溫P型層和P型半導體層，其特征在于：所述發光二極管還包括位于所述多量子阱結構層和低溫P型層之間的上保護層以及位于應力釋放層與多量子阱結構之間的下保護層，所述下保護層包括第一子保護層以及位于第一子保護層上的第二子保護層，所述上保護層包括第三子保護層以及位于第三子保護層上的第四子保護層。

2.根據權利要求1所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管，其特征在于：所述第一子保護層的能級高于第二子保護層，所述第三子保護層的能級低于所述第四子保護層。

3.根據權利要求1所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管，其特征在于：所述第一子保護層的能級等于所述第四子保護層的能級，所述第二子保護層的能級等于所述第三子保護層的能級。

4.根據權利要求3所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管，其特征在于：所述第一子保護層為AlN子保護層，所述第二子保護層為GaN子保護層。

5.根據權利要求3所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管，其特征在于：所述第三子保護層為GaN子保護層，所述第四子保護層為AlN子保護層。

6.根據權利要求1所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管，其特征在于：所述第一子保護層與所述第四子保護層的厚度均為10?~50?。

7.根據權利要求1所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管，其特征在于：所述第二子保護層與所述第三子保護層的厚度均為100?~200?。

8.根據權利要求1所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管，其特征在于：所述應力釋放層為Inx1Ga1-x1N/GaN超晶格結構，其中，0.02<x1<0.2。

9.根據權利要求1所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管，其特征在于：該發光二極管還包括位于低溫P型層和P型半導體層之間的電子阻擋層。

10.一種具有量子阱保護層的發光二極管的制備方法，其至少包括如下步驟：

S1、生長N型半導體層；

S2、于所述N型半導體層上繼續生長應力釋放層；

S3、所述應力釋放層生長結束后，于800℃~1000℃、純氮氣氣氛下生長下保護層，所述下保護層包括第一子保護層以及位于第一子保護層上的第二子保護層；

S4、于所述下保護層上繼續生長多量子阱結構層；

S5、所述多量子阱結構層生長結束后，于800℃~1000℃、純氮氣氣氛下生長上保護層，所述上保護層包括第三子保護層以及位于第三子保護層上的第四子保護層；

S6、繼續于上保護層上生長低溫P型層和P型半導體層。

11.根據權利要求10所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管的制備方法，其特征在于：所述步驟S2于溫度600~800℃，含氫氣氣氛下生長。

12.根據權利要求10所述的一種具有量子阱保護層的發光二極管的制備方法，其特征在于：所述步驟S6還包括在低溫P型層和P型半導體層之間生長電子阻擋層的步驟。