[發明專利]微型發光元件與顯示裝置

有效

• 申請號: 201710559367.0
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN109244204B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 李允立;李玉柱;陳培欣
• 申請（專利權）人: 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;G09F9/33
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種微型發光元件，包括：

磊晶結構層，包括：

第一型半導體層；

發光層，配置于所述第一型半導體層上；以及

第二型半導體層，配置于所述發光層上；

第一型接墊，配置于所述磊晶結構層上，且電性連接所述第一型半導體層；

第二型接墊，配置于所述磊晶結構層上，且電性連接所述第二型半導體層；以及

電流調控結構，配置于所述第二型半導體層與所述第二型接墊之間，其中所述第二型半導體層與所述電流調控結構的接觸電阻小于所述第二型半導體層與所述第二型接墊的接觸電阻，所述電流調控結構于所述第二型半導體層上的正投影面積小于所述第二型接墊于所述第二型半導體層上的正投影面積，且所述電流調控結構與所述第二型半導體層的接觸面積大于所述電流調控結構與所述第二型接墊的接觸面積，其中所述電流調控結構與所述第二型半導體層形成歐姆接觸，且所述電流調控結構與所述第二型半導體層的歐姆接觸面積大于所述電流調控結構于所述第二型半導體層上的正投影面積。

2.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構于所述第二型半導體層上的正投影面積與所述第二型接墊于所述第二型半導體層上的正投影面積的比值介于0.1至0.9之間。

3.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構的功函數大于所述第二型半導體層的功函數。

4.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構的功函數大于所述第二型接墊的功函數。

5.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述第二型接墊的厚度與所述電流調控結構的厚度的比值介于2至400之間。

6.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構的厚度介于5納米至200納米之間。

7.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述第二型接墊于所述第二型半導體層上的正投影面積與所述第二型半導體層的面積的比值介于0.1至0.9之間。

8.根據權利要求1項所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構包括膜層或圖案化結構。

9.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構至最鄰近的所述第二型半導體層的邊緣的水平距離與所述微型發光元件的最大寬度的比值大于等于0.01。

10.根據權利要求9所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構至最鄰近的所述第二型半導體層的邊緣的水平距離大于等于1微米。

11.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構內埋于所述第二型半導體層。

12.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述第一型接墊與所述第二型接墊位于所述發光層的同一側，且所述磊晶結構層還包括通孔，依序貫穿所述第二型半導體層、所述發光層以及所述第一型半導體層的部分，且所述第一型接墊配置于所述通孔內而與所述第一型半導體層電性連接。

13.根據權利要求1所述的微型發光元件，其中所述第一型接墊與所述第二型接墊位于所述發光層的相對兩側。

14.根據權利要求1所述的微型發光元件，還包括：

絕緣層，配置于所述第二型半導體層的表面上，其中所述絕緣層具有開口，所述開口暴露出所述第二型半導體層的部分所述表面，而所述第二型接墊配置于所述開口上且與所述第二型半導體層電性連接。

15.根據權利要求14所述的微型發光元件，其中所述電流調控結構配置于被所述開口所暴露出的所述第二型半導體層的所述表面上，且位于所述第二型半導體層與所述第二型接墊之間。