[發(fā)明專利]電致發(fā)光二極管陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710558592.2
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號(hào): CN109216578B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 侯文軍
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種電致發(fā)光二極管陣列基板，包括：

襯底基板，

設(shè)置在所述襯底基板上的輔助電極、平坦層、第一電極、功能層和第二電極，

其中，所述平坦層中設(shè)置有過孔結(jié)構(gòu)；

所述輔助電極設(shè)置在所述過孔結(jié)構(gòu)的至少一側(cè)；

所述輔助電極包括嵌入所述平坦層的側(cè)壁中的嵌入部分，所述嵌入部分遠(yuǎn)離所述襯底基板的邊緣比所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面更接近所述襯底基板；

所述第二電極通過所述嵌入部分的不與所述平坦層接觸的側(cè)面與所述輔助電極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，其中，所述輔助電極的所述嵌入部分的上表面高于所述過孔結(jié)構(gòu)中所述功能層的上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，還包括像素界定層，其中，所述過孔結(jié)構(gòu)從所述平坦層中延伸且貫穿所述像素界定層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，其中，所述過孔結(jié)構(gòu)中設(shè)置有導(dǎo)電高分子層，所述第二電極與所述輔助電極通過所述導(dǎo)電高分子層電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，其中，所述導(dǎo)電高分子層的導(dǎo)電率大于10^-6S/m。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，其中，所述導(dǎo)電高分子層的材料包括聚吡咯、聚苯硫醚、聚酞菁、聚苯胺和聚噻吩。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，其中，所述導(dǎo)電高分子層的厚度大于所述平坦層的厚度，且小于所述平坦層與所述像素界定層的厚度之和。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，其中，所述導(dǎo)電高分子層的上表面和所述像素界定層的上表面平齊。

9.根據(jù)權(quán)利要求4-8中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，包括多個(gè)貫穿所述平坦層和所述像素界定層的所述過孔結(jié)構(gòu)，所述第二電極在多個(gè)所述過孔結(jié)構(gòu)處分別與所述輔助電極電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，其中，所述功能層的厚度為100~300nm，所述輔助電極的厚度為0.5~1μm，所述平坦層的厚度為1~3μm，所述像素界定層的厚度為1~3μm，所述導(dǎo)電高分子層的厚度為2~5.7μm。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光二極管陣列基板，其中，所述功能層包括發(fā)光層、電子注入層、電子傳輸層、空穴注入層和空穴傳輸層。

12.一種顯示面板，包括權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的電致發(fā)光二極管陣列基板。

13.一種電致發(fā)光二極管陣列基板的制備方法，包括：

提供襯底基板，

在所述襯底基板上形成輔助電極、平坦層、第一電極、功能層和第二電極，

其中，形成所述平坦層包括在所述平坦層中形成過孔結(jié)構(gòu)；

所述輔助電極形成在所述過孔結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)側(cè)；

所述輔助電極包括嵌入所述平坦層的側(cè)壁中的嵌入部分，所述嵌入部分遠(yuǎn)離所述襯底基板的邊緣比所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面更接近所述襯底基板；

所述第二電極通過所述嵌入部分的不與所述平坦層接觸的側(cè)面與所述輔助電極電連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備方法，其中，所述輔助電極的所述嵌入部分的上表面高于所述過孔結(jié)構(gòu)中所述功能層的上表面。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，在形成所述第二電極之前，還包括形成像素界定層，其中，所述過孔結(jié)構(gòu)從所述平坦層中延伸至貫穿所述像素界定層。