[發(fā)明專利]掩模、測(cè)量方法、曝光方法以及物品制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710558573.X | 申請(qǐng)日: | 2017-07-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107621749B | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安藤美和子;河野道生;岡雅之 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/38 | 分類號(hào): | G03F1/38;G03F9/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 孫蕾 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩模 測(cè)量方法 曝光 方法 以及 物品 制造 | ||
1.一種掩模,具有第1標(biāo)記以及第2標(biāo)記,所述第1標(biāo)記以及所述第2標(biāo)記用于對(duì)曝光在基板上的第1拍攝區(qū)域的位置、與以對(duì)所述第1拍攝區(qū)域的一部分設(shè)置接合區(qū)域的方式曝光的第2拍攝區(qū)域的位置之間的偏離進(jìn)行測(cè)量,所述掩模的特征在于,
所述第1標(biāo)記是曝光在所述第1拍攝區(qū)域內(nèi)的所述接合區(qū)域的標(biāo)記,具有第1減光區(qū)域、光透射率比所述第1減光區(qū)域的光透射率高的第1區(qū)域和光透射率比所述第1減光區(qū)域的光透射率低的第11區(qū)域,
所述第2標(biāo)記是與所述第1標(biāo)記不同的、與所述第1標(biāo)記疊合地曝光在所述第2拍攝區(qū)域內(nèi)的所述接合區(qū)域的標(biāo)記,具有第2減光區(qū)域、光透射率比所述第2減光區(qū)域的光透射率高的第2區(qū)域和光透射率比所述第2減光區(qū)域的光透射率低的第22區(qū)域,
在將所述第1標(biāo)記以及第2標(biāo)記重疊的情況下,所述第1標(biāo)記的第1區(qū)域和所述第11區(qū)域的邊界處于所述第2標(biāo)記的第2減光區(qū)域,所述第2標(biāo)記的第2區(qū)域和所述第22區(qū)域的邊界處于所述第1標(biāo)記的第1減光區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第1減光區(qū)域或者所述第2減光區(qū)域具有減低入射光的光量并射出的膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第1減光區(qū)域或者所述第2減光區(qū)域具有當(dāng)曝光在基板時(shí)不進(jìn)行析像的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模,其特征在于,
所述圖案包括線與間隙圖案或者點(diǎn)圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述標(biāo)記是框形狀,該框形狀具有沿著相互垂直的兩個(gè)方向的外形。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模,其特征在于,
所述標(biāo)記是框形狀,該框形狀具有沿著相互垂直的兩個(gè)方向的外形,
所述圖案包括線與間隙圖案,該線與間隙圖案具有在相對(duì)于所述兩個(gè)方向傾斜的方向上延伸的線。
7.一種測(cè)量方法,對(duì)曝光在基板上的第1拍攝區(qū)域的位置、與以對(duì)所述第1拍攝區(qū)域的一部分設(shè)置接合區(qū)域的方式曝光的第2拍攝區(qū)域的位置之間的偏離進(jìn)行測(cè)量,所述測(cè)量方法的特征在于,具有:
使用具有第1標(biāo)記的掩模將所述第1標(biāo)記的像曝光在所述第1拍攝區(qū)域內(nèi)的所述接合區(qū)域的工序,所述第1標(biāo)記用于對(duì)所述第1拍攝區(qū)域的位置與所述第2拍攝區(qū)域的位置之間的偏離進(jìn)行測(cè)量并包括第1減光區(qū)域、光透射率比所述第1減光區(qū)域的光透射率高的第1區(qū)域和光透射率比所述第1減光區(qū)域的光透射率低的第11區(qū);
使用具有第2標(biāo)記的掩模將所述第2標(biāo)記的像與所述第1標(biāo)記疊合地曝光在所述第2拍攝區(qū)域內(nèi)的所述接合區(qū)域的工序,所述第2標(biāo)記與所述第1標(biāo)記不同,用于對(duì)所述第1拍攝區(qū)域的位置與所述第2拍攝區(qū)域的位置之間的偏離進(jìn)行測(cè)量并包括第2減光區(qū)域、光透射率比所述第2減光區(qū)域的光透射率高的第2區(qū)域和光透射率比所述第2減光區(qū)域的光透射率低的第22區(qū)域;
在所述第1標(biāo)記的像與所述第2標(biāo)記的像重疊地形成的像中,測(cè)量與所述第1標(biāo)記和所述第11區(qū)域的邊界對(duì)應(yīng)的第1邊緣的位置、和與所述第2標(biāo)記和所述第22區(qū)域的邊界對(duì)應(yīng)的第2邊緣的位置的工序;以及
根據(jù)測(cè)量出的所述第1邊緣以及所述第2邊緣的位置計(jì)算所述接合區(qū)域中的所述第1拍攝區(qū)域的位置與所述第2拍攝區(qū)域的位置之間的偏離的工序,
在將所述第1標(biāo)記以及第2標(biāo)記重疊的情況下,所述第1標(biāo)記的第1區(qū)域和所述第11區(qū)域的邊界處于所述第2標(biāo)記的第2減光區(qū)域,所述第2標(biāo)記的第2區(qū)域和所述第22區(qū)域的邊界處于所述第1標(biāo)記的第1減光區(qū)域。
8.一種曝光方法,對(duì)基板進(jìn)行曝光,所述曝光方法的特征在于,具有:
使用權(quán)利要求7所述的測(cè)量方法計(jì)算設(shè)置接合區(qū)域并曝光的兩個(gè)拍攝區(qū)域的位置的偏離的工序;以及
當(dāng)將第1拍攝區(qū)域曝光在基板上后,以對(duì)所述第1拍攝區(qū)域的一部分設(shè)置接合區(qū)域的方式曝光第2拍攝區(qū)域的曝光工序,
在所述曝光工序中,根據(jù)計(jì)算出的偏離,對(duì)所述第1拍攝區(qū)域或者所述第2拍攝區(qū)域的形狀進(jìn)行校正,對(duì)所述第1拍攝區(qū)域以及所述第2拍攝區(qū)域進(jìn)行曝光。
9.一種制造物品的制造方法,其特征在于,具有:
使用權(quán)利要求8所述的曝光方法對(duì)基板進(jìn)行曝光的工序;
對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影的工序;以及
對(duì)顯影后的基板進(jìn)行處理來制造物品的工序。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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