[發(fā)明專利]一種主動矩陣有機發(fā)光二極體面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710558540.5 | 申請日: | 2017-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN107452777B | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 遲明明;裴磊 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 主動 矩陣 有機 發(fā)光 二極體 面板 | ||
本發(fā)明公開了一種主動矩陣有機發(fā)光二極體面板,其特征在于,包括包括紅色磷光體,所述紅色磷光體包括主體材料和與所述主體材料混合設置的輔助主體材料;所述主體材料受激后在所述主體材料的未占有電子能級最低的軌道能級和所述輔助主體材料的已占有電子能級最高的軌道能級之間形成激基復合物。本發(fā)明能夠改善大視角下的色偏現(xiàn)象,使用方便,性能穩(wěn)定。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種主動矩陣有機發(fā)光二極體面板,屬于顯示面板技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中,由于AMOLED(主動矩陣有機發(fā)光二極體面板)具有低功耗、自發(fā)光、快響應、大視角、寬色域、可彎折等優(yōu)勢,因此,AMOLED作為一種新型的自發(fā)光顯示技術(shù)已成為顯示面板行業(yè)的主流趨勢。AMOLED雖然在控制色彩上,色偏要比TFTLCD(薄膜晶體管液晶顯示器)要小多了,但是卻依然存在大角度色偏現(xiàn)象,嚴重影響視覺效果。這是由于AMOLED內(nèi)各像素材料不同,且各像素材料的亮度隨視角的變化速率也各自不同,因此造成大視角下各像素亮度不均衡,從而出現(xiàn)畫面色偏的現(xiàn)象。如圖1所示,由于在大視角下R(紅光)像素1的亮度衰減較快,而G(綠光)像素2和B(藍光)像素3的亮度衰減相對緩慢,且人眼對紅光的感知能力最弱,因此,此時觀察AMOLED畫面會偏藍綠。為了改善該現(xiàn)象,需要降低R(紅光)像素的亮度隨視角的衰減速率,從而確保在大視角下R像素、G像素和B像素的亮度均衡。現(xiàn)有技術(shù)中,人們主要是通過調(diào)整微腔(光學共振腔)長度,使R像素的微腔長度等于中心波長,從而使R像素在視角為零度時的峰值比PL(PhotoLuminescence光致發(fā)光光譜)峰值高出20~30納米,以增大出光亮度,能夠?qū)崿F(xiàn)AMOLED在大視角下R像素、G像素和B像素的亮度均衡。由于方法需要引入微腔調(diào)整層,雖然通過一系列的模擬及試驗方可得到最佳的微腔長度。但是,由于微腔長度與材料的發(fā)光波峰直接相關(guān),因此,更換材料時須再次進行模擬與試驗,使用不便。而且微腔調(diào)整層的引入會增加器件內(nèi)的界面層數(shù)。界面層數(shù)的增加會引入界面態(tài),影響AMOLED性能。
發(fā)明內(nèi)容
針對上述問題,本發(fā)明的目的是提供一種能夠改善大視角下色偏現(xiàn)象且使用方便的主動矩陣有機發(fā)光二極體面板。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取以下技術(shù)方案:一種主動矩陣有機發(fā)光二極體面板,其特征在于,包括紅色磷光體,所述紅色磷光體包括主體材料和與所述主體材料混合設置的輔助主體材料,所述主體材料受激后在所述主體材料的未占有電子能級最低的軌道能級和所述輔助主體材料的已占有電子能級最高的軌道能級之間形成激基復合物。
所述輔助主體材料的所述已占有電子能級最高的軌道能級與被激發(fā)的所述主體材料的所述未占有電子能級最低的軌道能級之間通過軌道耦合形成所述激基復合物。
所述紅色磷光體還包括摻雜物,所述激基復合物的三線態(tài)高于所述摻雜物的三線態(tài),所述激基復合物的單線態(tài)高于所述摻雜物的所述三線態(tài)。
所述激基復合物的光譜范圍寬于所述主體材料和所述輔助主體材料的光譜范圍。
所述激基復合物的光致發(fā)光光譜相對于所述主體材料和所述輔助主體材料的光致發(fā)光光譜產(chǎn)生紅移,所述紅色磷光體的電致發(fā)光光譜相對于已有技術(shù)的紅色磷光體的電致發(fā)光光譜產(chǎn)生紅移。
所述輔助主體材料的未占有電子能級最低的軌道能級高于所述主體材料的所述未占有電子能級最低的軌道能級的值不超過1電子伏,所述輔助主體材料的所述已占有電子能級最高的軌道能級高于所述主體材料的已占有電子能級最高的軌道能級的值不超過1電子伏。
所述輔助主體材料為含氮或硫的芳香族有機小分子,所述芳香族有機小分子含有與所述主體材料相似的功能性基團,所述功能性基團為芳香胺、咔唑、含氮或硫的吸電子基的五元或六元雜環(huán)。
所述輔助主體材料占所述紅色磷光體的體積為2%~10%。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





