[發明專利]太赫茲混頻器

在審

• 申請號: 201710557976.2
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN107395128A
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 張立森;徐鵬;王俊龍;楊大寶;梁士雄;趙向陽;馮志紅
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H03D7/16
• 分類號: H03D7/16;H01P3/00
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所13120
• 代理人: 趙寶琴

1.一種太赫茲混頻器，其特征在于，包括：第一輸入端波導結構、第二輸入端波導結構和太赫茲混頻電路；

所述第一輸入端波導結構包括一個第一標準波導，所述第一標準波導為所述第一輸入端波導結構的末級波導，所述第一輸入端波導結構的末級波導的末端為第一短路面；

所述第二輸入端波導結構包括依次連接的至少一個第二標準波導和至少一個第一減高波導，所述第二輸入端波導結構一端的一個第一減高波導為所述第二輸入端波導結構的末級波導，所述第二輸入端波導結構的末級波導的末端為第二短路面；

所述太赫茲混頻電路包括第一E面微帶探針、第二E面微帶探針、肖基特二極管、用于輸出混頻信號的電路傳輸線、第一低通濾波器、第二低通濾波器，所述第一E面微帶探針的一端與所述第一低通濾波器的輸入端連接，所述第一低通濾波器的輸出端與所述肖基特二極管的一端連接，所述肖基特二極管的另一端與所述第二E面微帶探針連接，所述第一E面微帶探針的另一端與所述第二低通濾波器的輸入端連接，所述第二低通濾波器的輸出端與所述電路傳輸線連接；

所述第一E面微帶探針通過所述第一輸入端波導結構的末級波導上設置的第一開口延伸至所述第一輸入端波導結構內，將接收到本振信號引至太赫茲混頻電路；所述第二E面微帶探針通過所述第二輸入端波導結構的末級波導上設置的第二開口延伸至所述第二輸入端波導結構內，將接收到射頻信號引至太赫茲混頻電路。

2.根據權利要求1所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述第一輸入端波導結構還包括一個與所述第一標準波導連接的第二減高波導，所述第二減高波導為所述第一輸入端波導結構的末級波導。

3.根據權利要求1所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述第一輸入端波導結構的末級波導的長度大于所述本振信號頻率的四分之一波導波長，所述第一開口位于所述第一輸入端波導結構的末級波導的H面徑向軸線處且于軸線平行，所述第一開口與所述第一短路面的間距為所述本振信號頻率的四分之一波導波長；

所述第二輸入端波導結構的末級波導的長度大于所述射頻信號頻率的四分之一波導波長，所述第二開口位于所述第二輸入端波導結構的末級波導的H面徑向軸線處且于軸線平行，所述第二開口與所述第二短路面的間距為所述射頻信號頻率的四分之一波導波長。

4.根據權利要求1所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述太赫茲混頻電路還包括：輸入匹配電路；

所述輸入匹配電路的輸入端與所述第一低通濾波器的輸出端連接；

所述輸入匹配電路的輸出端與所述肖基特二極管連接。

5.根據權利要求1所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述太赫茲混頻電路的外部設有電路主腔體。

6.根據權利要求5所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述第二E面微帶探針通過接地金屬帶線與所述電路主腔體連接。

7.根據權利要求1-6任一項所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述肖基特二極管包括反向并聯的兩個二極管。

8.根據權利要求1-6任一項所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述第一低通濾波器為5階或7階高低阻抗微帶線。

9.根據權利要求1-6任一項所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述第一輸入端波導結構與所述第二輸入端波導結構的各級波導的E面重合。

10.根據權利要求1-6任一項所述的太赫茲混頻器，其特征在于，所述太赫茲混頻電路的基板為羅杰斯Rogers5880基板或石英基板。