[發(fā)明專利]一種用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法、固態(tài)硬盤有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710557810.0 | 申請日： | 2017-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN109243517B | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 廖啟宏;張佑全;王榮諆 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市得一微電子有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | G11C29/04 | 分類號： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44314 | 代理人： | 張秋紅;郭方偉 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 nand flash 不良 區(qū)塊 查找 方法 固態(tài) 硬盤 | ||
1.一種用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，包括：
S1：將不良區(qū)塊查找表建立在隨機(jī)存取內(nèi)存內(nèi)；
S2：判斷控制器待寫入或讀取的區(qū)塊是否為不良區(qū)塊，若是，則進(jìn)行不良區(qū)塊地址查找；
S3：通過哈希查找法進(jìn)行所述不良區(qū)塊地址查找，若查找到，則結(jié)束；若未查找到，則執(zhí)行步驟S4；
S4：通過二分法進(jìn)行所述不良區(qū)塊地址查找，直至查找到所述不良區(qū)塊的直接對應(yīng)地址為止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
S11：在編寫所述不良區(qū)塊查找表時(shí)，將所述不良區(qū)塊的對應(yīng)數(shù)據(jù)寫在所述隨機(jī)存取內(nèi)存內(nèi)，選定的所述隨機(jī)存取內(nèi)存的地址等于所述不良區(qū)塊的直接對應(yīng)地址。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
S12：每一次啟動NAND Flash時(shí)，從系統(tǒng)引導(dǎo)文件下載所述不良區(qū)塊查找表，固件將完整的所述不良區(qū)塊查找表建立在所述隨機(jī)存取內(nèi)存內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
S13：若有一個(gè)以上的所述不良區(qū)塊對應(yīng)同樣的所述直接對應(yīng)地址，則按照所述直接對應(yīng)地址的地址大小進(jìn)行排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，所述步驟S13包括：
S131：若有一個(gè)以上的所述不良區(qū)塊對應(yīng)同樣的直接對應(yīng)地址，則按照所述直接對應(yīng)地址的地址大小由小到大的順序排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，將完整的NAND FLASH地址分為哈希地址和截?cái)嗟刂罚?/p>
所述哈希地址為所述不良區(qū)塊的直接對應(yīng)地址，并作為所述隨機(jī)存取內(nèi)存的地址，可由硬件直接進(jìn)行查找；
所述截?cái)嗟刂窞樗鯪AND FLASH地址中除去所述不良區(qū)塊的直接對應(yīng)地址的剩余部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，所述步驟S3包括：
硬件通過所述哈希查找法在所述哈希地址中進(jìn)行查找，若查找到，則結(jié)束；若未查找到，則執(zhí)行所述步驟S4。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，所述步驟S3包括：
若通過哈希查找法未查找到，則固件根據(jù)所述哈希地址的地址大小在所述隨機(jī)存取內(nèi)存選擇對應(yīng)的地址進(jìn)行存儲。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法，其特征在于，所述步驟S4包括：
S41：判斷所述不良區(qū)塊的地址與所述不良區(qū)塊查找表的上限值和下限值是否相等；
S42：若否，則根據(jù)所述上限值和所述下限值確定中間值；
S43：判斷所述不良區(qū)塊與所述中間值是否相等，若否，則比較目標(biāo)值與所述中間值的大小；
S44：根據(jù)比較結(jié)果，確定所述下限值和所述中間值為下一個(gè)查找區(qū)間，或所述中間值和所述上限值為下一個(gè)查找區(qū)間；
S45：重復(fù)執(zhí)行所述步驟S41至步驟S44，直至找到所述不良區(qū)塊的直接對應(yīng)地址。
10.一種固態(tài)硬盤，其特征在于，所述固態(tài)硬盤使用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的用于NAND Flash不良區(qū)塊的查找方法。
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