[發明專利]OLED顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710557556.4 | 申請日: | 2017-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN107464828B | 公開(公告)日: | 2020-02-11 |
| 發明(設計)人: | 劉雪寧;李針英 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種OLED顯示面板及顯示裝置,以提高OLED顯示裝置的彎曲可靠性,延長OLED顯示裝置的使用壽命。OLED顯示面板包括顯示區域和位于所述顯示區域外的周邊區域,所述OLED顯示面板包括陣列基板,依次設置在所述陣列基板上的發光單元和薄膜封裝層,以及設置于所述周邊區域的釘墻結構,其中:所述釘墻結構穿透所述薄膜封裝層并進入所述陣列基板。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種OLED(Organic Light-EmittingDiode,有機發光二極管,簡稱OLED)顯示面板及顯示裝置。
背景技術
OLED顯示裝置,由于具有薄、輕、寬視角、主動發光、發光顏色連續可調、成本低、響應速度快、能耗小、驅動電壓低、工作溫度范圍寬、生產工藝簡單、發光效率高及可柔性顯示等優點,已被列為極具發展前景的下一代顯示技術。
目前,OLED顯示裝置的顯示面板01(截面結構如圖1所示)在制作時,普遍采用TFE(Thin Film Encapsulation,薄膜封裝,簡稱TFE)技術對OLED器件02進行封裝。具體工藝步驟如下:在形成有多個OLED器件02的陣列基板03周邊形成第一圍壩04和第二圍壩05,第二圍壩05圍繞在第一圍壩04的外側;在前述多個OLED器件02和第一圍壩04之上形成薄膜封裝層06。該薄膜封裝層06的結構包括:形成于前述多個OLED器件02和第一圍壩04之上的第一無機封裝層07,形成于第一無機封裝層07之上且位于第一圍壩04內側的有機封裝層08,以及形成于有機封裝層08之上且覆蓋第一圍壩04的第二無機封裝層09。薄膜封裝層06一般采用IJP(Ink-Jet Printing,噴墨打印,簡稱IJP)工藝形成,因此,第一圍壩04的預先形成對有機封裝層08具有阻隔作用,第二圍壩05的預先形成對第一無機封裝層07和第二無機封裝層09具有阻隔作用。
本申請的發明人在實現本申請過程中發現,在后續對OLED顯示面板進行切割工序時,陣列基板的切割區域會不可避免地產生裂紋;當OLED顯示面板應用于柔性OLED顯示裝置或者曲面OLED顯示裝置時,陣列基板上的裂紋在卷曲或彎折的過程中會進一步擴展,并且薄膜封裝層和第二圍壩在彎曲處存在較大的彎曲應力,從而極易使薄膜封裝層與基板剝離,導致水汽和氧氣沿著縫隙進入OLED器件,造成OLED器件失效。
發明內容
本發明實施例的目的是提供一種OLED顯示面板及顯示裝置,以提高OLED顯示裝置的彎曲可靠性,延長OLED顯示裝置的使用壽命。
本發明實施例提供了一種OLED顯示面板,包括顯示區域和位于所述顯示區域外的周邊區域,所述OLED顯示面板包括陣列基板,依次設置在所述陣列基板上的發光單元和薄膜封裝層,以及設置于所述周邊區域的釘墻結構,其中:所述釘墻結構穿透所述薄膜封裝層并進入所述陣列基板。
較佳的,所述釘墻結構環繞所述顯示區域設置。
可選的,所述釘墻結構包括分布于所述周邊區域的條狀釘墻。
較佳的,所述釘墻結構至少為兩道且沿遠離所述顯示區域的方向依次排列。
優選的,相鄰兩道所述釘墻結構的條狀釘墻相錯設置。
可選的,所述釘墻結構包括多個連接釘。
較佳的,所述多個連接釘遠離所述陣列基板的一側相連接。
可選的,所述連接釘包括進入薄膜封裝層和陣列基板的連接部,所述連接部垂直于所述連接釘延伸方向的橫截面呈方形、圓形、三角形或梯形。
較佳的,所述OLED顯示面板還包括設置于所述陣列基板和所述薄膜封裝層之間,且位于所述周邊區域的至少一道圍壩,所述薄膜封裝層覆蓋所述至少一道圍壩,所述釘墻結構設置于所述至少一道圍壩遠離所述顯示區域的外側。
可選的,所述陣列基板還包括設置于所述釘墻結構和所述至少一道圍壩之間的驅動電路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





