[發明專利]相變化記憶體的制備方法有效
| 申請號： | 201710557297.5 | 申請日： | 2015-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN107482118B | 公開（公告）日： | 2020-04-03 |
| 發明（設計）人： | 蘇水金 | 申請（專利權）人： | 江蘇時代全芯存儲科技股份有限公司;江蘇時代芯存半導體有限公司;英屬維京群島商時代全芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 相變 記憶體 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種相變化記憶體的制備方法，其特征在于，包含：
形成一下電極于一介電層中，其中該下電極的頂表面與該介電層的頂表面齊平；
形成一罩幕層于該下電極上與該介電層上；
圖案化該罩幕層；
等向性移除部分該罩幕層以形成一柱狀突出物于該下電極上，其中該柱狀突出物的一截面寬度小于該下電極的一截面寬度；
形成一阻障層共形地覆蓋該 柱狀突出物的側壁與上表面；
形成一加熱材料層共形地覆蓋該阻障層；以及
干蝕刻該柱狀突出物的上表面的該阻障層與該加熱材料層以及與該介電層平行的該阻障層與該加熱材料層，以自該加熱材料層形成一環狀加熱器環繞該柱狀突出物并暴露出該介電層，其中該環狀加熱器與該柱狀突出物之間，以及該環狀加熱器與該下電極之間被該阻障層隔開。
2.根據權利要求1所述的相變化記憶體的制備方法，其特征在于，還包含：
移除該柱狀突出物；
形成一絕緣層覆蓋該環狀加熱器；
平坦化該絕緣層以暴露該環狀加熱器；以及
形成一相變化層于該環狀加熱器上。
3.根據權利要求1所述的相變化記憶體的制備方法，其特征在于，是以一濕蝕刻制程等向性移除部分該罩幕層。
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