[發(fā)明專利]一種感測基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710557038.2
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN109244089B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊照坤;馮翔;楊瑞智;齊永蓮
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

本發(fā)明提供了一種感測基板及其制作方法、顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。其中，感測基板，包括位于襯底基板上的柵線和與所述柵線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定出多個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有顯示用驅(qū)動薄膜晶體管，所述感測基板還包括：至少在部分所述像素區(qū)域，具有位于所述像素區(qū)域內(nèi)的圖像傳感器，所述圖像傳感器包括敏感元件、位于所述敏感元件一端的第一電極和位于所述敏感元件另一端的第二電極。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠以較低的成本在顯示裝置中實現(xiàn)圖像傳感器與顯示面板的結(jié)構(gòu)集成和功能集成。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種感測基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

目前，在顯示設(shè)備上為了實現(xiàn)對使用者的動作進(jìn)行識別，一般需要使用昂貴的CCD(電荷耦合元件)/CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)照相機來獲取使用者的動作經(jīng)過分析后執(zhí)行相應(yīng)的操作，并且在夜間若需要對使用者的動作進(jìn)行識別時，還要需要使用四軸運動記憶傳感器(Motion MEM sensor)來記錄使用者的動作。這些實現(xiàn)對使用者動作進(jìn)行識別的設(shè)備較為昂貴，且不易整合在顯示設(shè)備中。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種感測基板及其制作方法、顯示裝置，能夠在顯示裝置中實現(xiàn)圖像傳感器與顯示面板的結(jié)構(gòu)集成和功能集成。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種感測基板，包括位于襯底基板上的柵線和與所述柵線交叉設(shè)置的數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線限定出多個像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有顯示用驅(qū)動薄膜晶體管，所述感測基板還包括：

至少在部分所述像素區(qū)域，具有位于所述像素區(qū)域內(nèi)的圖像傳感器，所述圖像傳感器包括敏感元件、位于所述敏感元件一端的第一電極和位于所述敏感元件另一端的第二電極。

進(jìn)一步地，所述具有位于所述像素區(qū)域內(nèi)的圖像傳感器的部分像素區(qū)域均勻分布于襯底基板上。

進(jìn)一步地，所述圖像傳感器的所述第一電極與所述柵線連接，所述第二電極與位于所述襯底基板上的敏感元件電流檢測線連接。

進(jìn)一步地，所述感測基板具體包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的柵線和驅(qū)動薄膜晶體管的柵極；

柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上的驅(qū)動薄膜晶體管的源極、漏極、有源層和所述數(shù)據(jù)線；

位于所述柵絕緣層上的第一電極、第二電極和敏感元件電流檢測線，所述第一電極和所述第二電極間隔既定距離設(shè)置，所述第二電極與所述敏感元件電流檢測線連接，所述第一電極通過貫穿所述柵絕緣層的過孔與所述柵線連接；

架設(shè)在所述第一電極和所述第二電極上的所述敏感元件。

進(jìn)一步地，所述感測基板還包括：

與所述柵線連接、控制所述圖像傳感器的開關(guān)薄膜晶體管；以及

位于所述襯底基板上的圖像傳感器數(shù)據(jù)線；

所述開關(guān)薄膜晶體管的漏極與所述第一電極連接，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接，所述開關(guān)薄膜晶體管的源極與所述圖像傳感器數(shù)據(jù)線連接。

進(jìn)一步地，所述感測基板具體包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的所述柵線和所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極、所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極和所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極均與所述柵線連接；

柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上的所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極、漏極、有源層和所述數(shù)據(jù)線；