[發(fā)明專利]半導(dǎo)體功率器件及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710556890.8 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109243979B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-10-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鐘樹(shù)理;陳宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/336 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 趙天月 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 功率 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種制作半導(dǎo)體功率器件的方法，其特征在于，包括：
在襯底的一側(cè)，依次形成外延層、阱區(qū)、源區(qū)和體接觸區(qū)，其中，所述外延層設(shè)置在所述襯底的一側(cè)，所述阱區(qū)以所述襯底的中心線為軸對(duì)稱地設(shè)置在所述外延層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述源區(qū)和所述體接觸區(qū)分別獨(dú)立地以所述襯底的中心線為軸對(duì)稱地設(shè)置在所述阱區(qū)遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；
在所述外延層、阱區(qū)、源區(qū)和體接觸區(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成第一階柵絕緣亞層；
在所述第一階柵絕緣亞層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，形成第二階柵絕緣亞層和第一多晶硅亞層；
在所述第二階柵絕緣亞層和第一多晶硅亞層的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，形成第二多晶硅亞層，并對(duì)所述第二多晶硅亞層和所述第一多晶硅亞層進(jìn)行光刻并形成柵極；
其中，所述形成第二階柵絕緣亞層和第一多晶硅亞層的步驟進(jìn)一步包括：
在所述第一階柵絕緣亞層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，依次形成第一多晶硅層和具有圖案化的保護(hù)層；
對(duì)所述第一多晶硅層的未被所述保護(hù)層保護(hù)的區(qū)域進(jìn)行高溫氧化處理，以便獲得第二階柵絕緣亞層和第一多晶硅亞層，其中，所述高溫氧化處理的溫度為800～1200攝氏度；以及
去除所述保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一階柵絕緣亞層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，形成多個(gè)第二階柵絕緣亞層和多個(gè)第一多晶硅亞層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述高溫氧化處理在高純氧的氣氛下進(jìn)行的，其中，所述高純氧為純度大于99.995v/v％的氧氣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層選自氮化硅或氧化鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度不小于150nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成具有圖案化的保護(hù)層的步驟包括：
在所述第一多晶硅層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成致密層；
對(duì)所述致密層進(jìn)行光刻處理，形成所述具有圖案化的保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述保護(hù)層的方法為濕法刻蝕。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底由碳化硅形成。
9.一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，是通過(guò)權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的方法制作的。
10.一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，包括：
襯底；
外延層，所述外延層設(shè)置在所述襯底的一側(cè)；
阱區(qū)，所述阱區(qū)以所述襯底的中心線為軸對(duì)稱地設(shè)置在所述外延層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；
源區(qū)，所述源區(qū)以所述襯底的中心線為軸對(duì)稱地設(shè)置在所述阱區(qū)遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；
體接觸區(qū)，所述體接觸區(qū)以所述襯底的中心線為軸對(duì)稱地設(shè)置在所述阱區(qū)遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；
柵絕緣層，所述柵絕緣層設(shè)置在所述阱區(qū)和所述源區(qū)的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述柵絕緣層為由多個(gè)柵絕緣亞層組成的多階結(jié)構(gòu)，且由二氧化硅形成；以及
柵極，所述柵極設(shè)置在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述柵極由多個(gè)多晶硅亞層組成；
其中，同層設(shè)置的所述柵絕緣亞層和所述多晶硅亞層中，形成所述柵絕緣亞層的材料是對(duì)所述多晶硅亞層的材料進(jìn)行高溫氧化處理獲得的，且所述高溫氧化處理的溫度為800～1200攝氏度。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
