[發明專利]一種半導體器件的制造方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201710556879.1
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN109244025A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 施林波;陳福成
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供玻璃晶圓；

在所述玻璃晶圓上形成芯片膠膜；

將若干芯片固定在所述芯片膠膜上；

在所述玻璃晶圓表面形成覆蓋所述芯片以及所述芯片膠膜的塑封體；

去除所述玻璃晶圓；

對所述塑封體和所述芯片膠膜進行切割，以形成彼此分離的多個封裝結構，所述封裝結構包括至少一個所述芯片。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述玻璃晶圓表面與所述芯片膠膜之間還形成吸光分解材料層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述吸光分解材料層包括光熱轉換膜或鋸齒層。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成塑封體的步驟之后，在所述去除玻璃晶圓的步驟之前，所述方法還包括在所述塑封體表面形成臨時鍵合載體的步驟。

5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述玻璃晶圓的方法包括：采用激光對所述吸光分解材料層進行處理，然后再移除所述玻璃晶圓。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除玻璃晶圓的步驟之后，在所述對塑封體和所述芯片膠膜進行切割的步驟之前，所述方法還包括在露出的所述芯片膠膜的表面形成與所述芯片電連接的若干金屬凸塊。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述金屬凸塊通過貫穿所述芯片膠膜的硅通孔實現與所述芯片電連接。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述硅通孔的方法包括：采用激光打孔工藝在所述芯片膠膜中形成通孔，然后在所述通孔中填充隔離層以及導電材料層。

9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，在所述對塑封體和所述芯片膠膜進行切割的步驟之前，所述方法還包括去除所述臨時鍵合載體的步驟。

10.一種半導體器件，其特征在于，包括：

芯片膠膜；

在所述芯片膠膜表面上的芯片；

覆蓋所述芯片以及所述芯片膠膜的塑封體。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括在所述芯片膠膜下表面的與所述芯片電連接的若干金屬凸塊。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括通過貫穿所述芯片膠膜的硅通孔，以實現所述金屬凸塊與所述芯片的電連接。