[發(fā)明專利]掩膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710556840.X | 申請(qǐng)日: | 2017-07-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107290928B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 江南輝;陳瑞祥;賴俊志;鄧博文;陳信宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/00 | 分類號(hào): | G03F1/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市立康律師事務(wù)所 11805 | 代理人: | 梁揮;孟超 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜 | ||
1.一種掩膜,其特征在于,包含:
多個(gè)第一島狀物;以及
多個(gè)第二島狀物,連接該多個(gè)第一島狀物且與該多個(gè)第一島狀物在行列方向上都交錯(cuò)排列,每?jī)蓚€(gè)鄰近的該第一島狀物與對(duì)應(yīng)的兩個(gè)該第二島狀物之間夾有一通孔,其中該多個(gè)第一島狀物的頂面面積大于該多個(gè)第二島狀物的頂面面積,該第一島狀物的頂面面積與底面面積的比值大于該第二島狀物的頂面面積與底面面積的比值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜,其特征在于,該多個(gè)第一島狀物以及該多個(gè)第二島狀物沿著一第一方向以及一第二方向交錯(cuò)排列,該第一方向與該第二方向之間的夾角大于0度且小于等于90度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜,其特征在于,每一該第一島狀物的側(cè)壁具有一第一坡度,且每一該第二島狀物的側(cè)壁具有一第二坡度,該第一坡度大于該第二坡度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜,其特征在于,該第一坡度介于60度與80度之間,且該第二坡度介于30度與50度之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜,其特征在于,每一該第一島狀物的頂面面積與底面面積的比值介于0.3與0.4之間,且每一該第二島狀物的頂面面積與底面面積的比值介于0.05與0.1之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜,其特征在于,每?jī)蓚€(gè)鄰近的該多個(gè)第一島狀物的頂面邊緣之間的最大距離小于每?jī)蓚€(gè)鄰近的該多個(gè)第二島狀物的頂面邊緣之間的最大距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜,其特征在于,該多個(gè)第一島狀物與該多個(gè)第二島狀物的材料包括金屬。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜,其特征在于,該通孔的底面形狀與該通孔的頂面形狀不相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜,其特征在于,該多個(gè)第一島狀物的厚度等于該多個(gè)第二島狀物的厚度。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門(mén)適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





