[發明專利]一種顯示基板和顯示面板有效
| 申請號: | 201710556342.5 | 申請日: | 2017-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN107170791B | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發明(設計)人: | 吳守政;張青;劉同敏;張恒 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 | 代理人: | 劉悅晗;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 | ||
1.一種顯示基板,包括第一基底和形成在第一基底上的第一OLED器件,其特征在于,所述第一OLED器件在所述第一基底的投影位于黑矩陣在所述第一基底的投影范圍內;
所述顯示基板還包括第一反射結構,所述第一反射結構位于所述第一OLED器件遠離所述第一基底的一側,包括呈斜面的第一反射面,用于將所述第一OLED器件發出的光向所述黑矩陣所在一側射出。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述黑矩陣包括第一黑矩陣,所述第一黑矩陣位于所述第一OLED器件鄰近所述第一基底的一側。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,各所述第一反射面同向設置,或者,相鄰的所述第一反射面互為軸對稱設置。
4.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,還包括第一導光結構,所述第一導光結構在所述第一基底上的正投影與所述第一黑矩陣在所述第一基底上的正投影間隔設置;
所述第一反射結構用于,將所述第一OLED器件發出的光反射至所述第一導光結構;所述第一導光結構用于,將所述第一反射結構反射的光向所述第一基底射出。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述第一導光結構呈矩形,且所述第一導光結構遠離所述第一基底的表面設置有多個第一導光點,所述第一導光點用于將入射至所述第一導光結構的光向所述第一導光結構鄰近所述第一基底的表面射出。
6.一種顯示面板,包括相對設置的第一基板和第二基板,其特征在于,所述第一基板為如權利要求1所述的顯示基板。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述黑矩陣包括第二黑矩陣,所述第二基板包括第二基底,所述第二黑矩陣設置在所述第二基底上。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,還包括第二導光結構,所述第二導光結構位于所述第二基底上,且所述第二導光結構在所述第二基底上的正投影與所述第二黑矩陣在所述第二基底上的正投影間隔設置;
所述第一反射結構用于,將所述第一OLED器件發出的光反射至所述第二導光結構;所述第二導光結構用于,將所述第一反射結構反射的光向所述第二基底射出。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,還包括第一導光結構和第三黑矩陣,所述第三黑矩陣位于所述第一OLED器件與所述第一基底之間,所述第一導光結構位于所述第一基底上,且所述第一導光結構在所述第一基底上的正投影與所述第三黑矩陣在所述第一基底上的正投影間隔設置;
所述第一反射結構還用于,將所述第一OLED器件發出的光反射至所述第一導光結構;所述第一導光結構用于,將所述第一反射結構反射的光向所述第一基底射出。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,還包括第二反射結構和第二OLED器件,所述第二OLED器件位于第二黑矩陣遠離所述第二基底的一側,所述第二反射結構位于所述第二OLED器件遠離所述第二黑矩陣的一側;
所述第二反射結構用于將所述第二OLED器件發出的光反射至所述第一導光結構和所述第二導光結構;所述第一導光結構還用于將所述第二反射結構反射的光向所述第一基底射出;所述第二導光結構還用于將所述第二反射結構反射的光向所述第二基底射出。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710556342.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:便攜式富氫水噴壺
- 下一篇:一種硅片遮蓋式保存盒
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





