[發(fā)明專利]面向物聯(lián)網(wǎng)的有熱電轉(zhuǎn)換的SOI基LDMOS器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710555933.0
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號(hào): CN107359199B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖小平;陳友國
• 申請（專利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/41
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種面向物聯(lián)網(wǎng)的有熱電轉(zhuǎn)換的SOI基LDMOS器件，其特征在于，包括SOI基LDMOS以及若干熱電偶；

其中，所述SOI基LDMOS包括SOI襯底(1)及SOI襯底(1)上橫向雙擴(kuò)散得到的P阱區(qū)(2)、N-漂移區(qū)(3)，且P阱區(qū)(2)頂部布置有重?fù)诫s的N+型源區(qū)(6)，N+型源區(qū)(6)上設(shè)置有源區(qū)金屬極(12)；所述N-漂移區(qū)(3)頂部遠(yuǎn)離P阱區(qū)(2)的一側(cè)布置有重?fù)诫s的N+型漏區(qū)(7)，且N+型漏區(qū)(7)上設(shè)置有漏區(qū)金屬極(13)；所述N-漂移區(qū)(3)上靠近P阱區(qū)(2)的一側(cè)設(shè)置有柵極氧化層(4)，且柵極氧化層(4)上設(shè)置有柵極多晶硅(5)；

所述SOI基LDMOS上圍繞源區(qū)金屬極(12)、柵極多晶硅(5)、漏區(qū)金屬極(13)四周設(shè)置有二氧化硅鈍化層(11)，且熱電偶在二氧化硅鈍化層(11)上分別圍繞源區(qū)金屬極(12)、柵極多晶硅(5)、漏區(qū)金屬極(13)四周設(shè)置；每個(gè)熱電偶包括并列設(shè)置的熱電偶金屬臂(8)及熱電偶N+型多晶硅臂(9)，相鄰的熱電偶金屬臂(8)及熱電偶N+型多晶硅臂(9)之間通過金屬連線(10)依次串聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的有熱電轉(zhuǎn)換的SOI基LDMOS器件，其特征在于，通過SOI基LDMOS上的溫度分布為熱電偶提供熱源，通過熱電偶實(shí)現(xiàn)熱電能量轉(zhuǎn)換的同時(shí)實(shí)現(xiàn)SOI基LDMOS的散熱。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的有熱電轉(zhuǎn)換的SOI基LDMOS器件，其特征在于，所述熱電偶分別圍繞源區(qū)金屬極(12)、柵極多晶硅(5)、漏區(qū)金屬極(13)排列并依次串聯(lián)，形成三個(gè)熱電偶模塊(14)，且熱電偶的一端靠近所在模塊的電極，其另一端遠(yuǎn)離所在模塊的電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的有熱電轉(zhuǎn)換的SOI基LDMOS器件，其特征在于，每個(gè)熱電偶模塊(14)設(shè)置有兩個(gè)熱電偶引出極(15)，且三個(gè)熱電偶模塊(14)通過金屬連線(10)依次串聯(lián)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的有熱電轉(zhuǎn)換的SOI基LDMOS器件，其特征在于，每個(gè)熱電偶模塊(14)包括12個(gè)串聯(lián)的熱電偶。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的面向物聯(lián)網(wǎng)的有熱電轉(zhuǎn)換的SOI基LDMOS器件，其特征在于，通過檢測三個(gè)熱電偶模塊(14)所產(chǎn)生的塞貝克壓差來實(shí)現(xiàn)SOI基LDMOS上熱耗散功率的檢測。