[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201710555460.4 | 申請日: | 2017-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN109244100B | 公開(公告)日: | 2023-06-06 |
| 發明(設計)人: | 吳志凌;賴育弘;蘇義閔 | 申請(專利權)人: | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 開曼群島大開曼島,大展館商業中心,奧林德道*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本發明提供一種顯示裝置,包括驅動基板、多個發光元件以及多個金屬共電極。發光元件分散地配置于驅動基板上,且每一發光元件包括磊晶結構層以及配置于磊晶結構層上的第一型電極與第二型電極。金屬共電極分散地配置于驅動基板上,且接觸每一發光元件的部分第二型電極以形成歐姆接觸。
技術領域
本發明涉及一種顯示裝置,尤其涉及一種以發光二極管做為顯示像素的顯示裝置。
背景技術
一般的顯示面板中,共電極與發光二極管皆會配置于顯示區域中,其中發光二極管位于每一像素區且電性連接至共電極,借著共電極與發光二極管之間的電壓差而使得顯示介質層的狀態改變而進行顯示。目前在發光二極管的制作上,大都會選擇4.5eV-5.3eV的高功函數且性質穩定又透光的氧化銦錫(Indium?Tin?Oxide,ITO)來作為電極材料。目前的共電極也采用相同的材料,即氧化銦錫(ITO)來制作,然而氧化銦錫(ITO)材質較不具延展性及韌性,易增加顯示面板共電極制程的難度因而減低顯示面板的良率。
發明內容
本發明提供一種顯示裝置,其具較佳的制作良率。
本發明的顯示裝置,其包括驅動基板、多個發光元件以及多個金屬共電極。發光元件分散地配置于驅動基板上,且每一發光元件包括磊晶結構層以及配置于磊晶結構層上的第一型電極與第二型電極。金屬共電極分散地配置于驅動基板上,且接觸每一發光元件的部分第二型電極以形成歐姆接觸。
在本發明的一實施例中,上述的金屬共電極接觸每一第二型電極的上表面的接觸面積與每一第二型電極的上表面的面積的比值小于等于0.5。
在本發明的一實施例中,上述的金屬共電極包括多個第一型金屬共電極與多個第二型金屬共電極,其中第一型金屬共電極與第二型金屬共電極的材料相異。
在本發明的一實施例中,上述的第一型金屬共電極的材質包括金、鍺、鎳或上述材質的合金,而第二型金屬共電極的材質包括鈦、鋁或上述材質的合金。
在本發明的一實施例中,上述的第一型金屬共電極對應接觸的每一發光元件為具有第一主要發光波長,而第二型金屬共電極對應接觸的每一發光元件為具有第二主要發光波長,第一主要發光波長大于第二主要發光波長。
在本發明的一實施例中,上述的第一型金屬共電極對應接觸的每一發光元件為紅光發光元件,而第二型金屬共電極對應接觸的每一發光元件為藍光發光元件或綠光發光元件。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括多個接合墊,配置于驅動基板上,且位于每一發光元件的第一型電極與驅動基板之間。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置還包括絕緣層,配置于驅動基板上,且覆蓋接合墊與每一發光元件的磊晶結構層與第一型電極。金屬共電極覆蓋在絕緣層上。絕緣層的厚度小于每一發光元件的厚度。
在本發明的一實施例中,上述的磊晶結構層包括第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層。發光層位于第一型半導體層與第二型半導體層之間,而第一型電極與第一型半導體層電性連接,且第二型電極與第二型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中,上述的金屬共電極覆蓋每一發光層的側面。
在本發明的一實施例中,上述的每一金屬共電極在垂直剖面上具有第一垂直高度,而每一金屬共電極與驅動基板在垂直剖面上具有第二垂直高度,且第一垂直高度與第二垂直高度的比值介于0.3至1。
在本發明的一實施例中,上述的金屬共電極覆蓋每一發光元件的側面。
在本發明的一實施例中,上述的每一金屬共電極包括第一金屬共電極與第二金屬共電極。第一金屬共電極與第二金屬共電極分別覆蓋每一發光元件的兩側面。
在本發明的一實施例中,上述的金屬共電極覆蓋每一發光元件的四周。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





