[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器封裝、存儲(chǔ)器件和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710554739.0
• 申請(qǐng)日: 2017-07-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107591174B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳致成;金錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11C7/10
• 分類號(hào): G11C7/10;H01L25/065;H01L23/48
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器封裝包括：基底層，與存儲(chǔ)器控制器通信；至少一個(gè)存儲(chǔ)器層，堆疊在基底層上；以及至少一個(gè)硅通孔，穿過(guò)所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器層，其中，用于與存儲(chǔ)器控制器交換信號(hào)的至少一個(gè)信號(hào)凸塊設(shè)置在基底層的與存儲(chǔ)器控制器相鄰的第一區(qū)域中，以及其中第一區(qū)域?qū)?yīng)于基底層的邊緣區(qū)域，以及用于從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器封裝的外部接收用于對(duì)信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理操作的電力的電源凸塊設(shè)置在基底層的接觸所述至少一個(gè)硅通孔的第二區(qū)域中，其中第二區(qū)域?qū)?yīng)于基底層的除邊緣區(qū)域以外的區(qū)域。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年7月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2016-0087119的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用全部合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種包括堆疊層的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器封裝，更具體地涉及一種包括具有凸塊布置的堆疊層的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器封裝，以進(jìn)行包括通信操作在內(nèi)的高效操作。

背景技術(shù)

可以用作最近電子設(shè)備中的存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的容量和速度兩者都在增加。此外，正在進(jìn)行各種嘗試以在更小的空間內(nèi)安裝具有更大容量的存儲(chǔ)器并高效地操作存儲(chǔ)器。

近來(lái)，為了提高半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的集成度，正在應(yīng)用包括多個(gè)堆疊的存儲(chǔ)器芯片的三維(3D)結(jié)構(gòu)，而不是二維(2D)結(jié)構(gòu)?；趯?duì)大集成和大容量存儲(chǔ)器的需求，可能需要采用3D堆疊結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器芯片以增加存儲(chǔ)器的容量，通過(guò)減小半導(dǎo)體芯片的尺寸來(lái)提高集成度并降低其制造成本的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器封裝和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器模塊，其包括其中設(shè)置有用于與處理器高效通信的凸塊的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面，提供了一種電子設(shè)備，包括：基底層，與存儲(chǔ)器控制器通信；至少一個(gè)存儲(chǔ)器層，堆疊在基底層上；以及至少一個(gè)硅通孔，穿過(guò)所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器層，其中，用于與存儲(chǔ)器控制器交換信號(hào)的至少一個(gè)信號(hào)凸塊設(shè)置在基底層的與存儲(chǔ)器控制器相鄰的第一區(qū)域中，以及其中第一區(qū)域?qū)?yīng)于基底層的邊緣區(qū)域，以及至少一個(gè)電源凸塊，用于從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器封裝的外部接收電力，所述電力用于對(duì)信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理操作，其中電源凸塊設(shè)置在基底層的第二區(qū)域中并接觸所述至少一個(gè)硅通孔，其中第二區(qū)域?qū)?yīng)于基底層的除邊緣區(qū)域以外的區(qū)域，其中，所有信號(hào)凸塊僅設(shè)置在基底層的與存儲(chǔ)器控制器相鄰的第一區(qū)域中，并且所有電源凸塊僅設(shè)置在基底層的與信號(hào)凸塊相比更遠(yuǎn)離存儲(chǔ)器控制器的第二區(qū)域中。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種電子設(shè)備，包括：基底層；至少一個(gè)存儲(chǔ)器層，堆疊在基底層上；以及至少一個(gè)硅通孔TSV，穿過(guò)所述至少一個(gè)存儲(chǔ)器層，其中基底層包括與外部存儲(chǔ)器控制器相鄰的物理區(qū)域和接觸所述至少一個(gè)TSV的TSV區(qū)域，物理區(qū)域包括將從外部存儲(chǔ)器控制器接收的信號(hào)發(fā)送到TSV區(qū)域的第一輸入/輸出電路，物理區(qū)域?qū)?yīng)于基底層的邊緣區(qū)域，并且TSV區(qū)域?qū)?yīng)于基底層的除邊緣區(qū)域以外的區(qū)域，以及TSV區(qū)域包括對(duì)接收的信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理操作并將處理后的信號(hào)發(fā)送到存儲(chǔ)器層的第二輸入/輸出電路，其中，用于從外部存儲(chǔ)器控制器接收信號(hào)的一個(gè)或多個(gè)信號(hào)TSV/凸塊僅設(shè)置在物理區(qū)域中而不是TSV區(qū)域中，并且用于從存儲(chǔ)器件的外部接收用于執(zhí)行信號(hào)處理操作的電力的一個(gè)或多個(gè)電源TSV/凸塊僅設(shè)置在TSV區(qū)域中而不是物理區(qū)域中。