[發(fā)明專利]稀土摻雜單斜晶系硅酸釓鹽熒光粉體及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710554453.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107418576A | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅嵐;郭銳;劉勇;王雨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南昌大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C09K11/79 | 分類號(hào): | C09K11/79 |
| 代理公司: | 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司36115 | 代理人: | 施秀瑾 |
| 地址: | 330031 江西省*** | 國(guó)省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 稀土 摻雜 單斜 晶系 硅酸 熒光粉 及其 制備 方法 | ||
1.一種稀土摻雜單斜晶系硅酸釓鹽熒光粉體,其特征是化學(xué)表達(dá)式如下:
Gd2-xSiO5:xRE
式中RE為Eu、Tb、Sm三種元素中任意一種,x為RE取代Gd的摩爾量,0.01<x<0.1。
2.權(quán)利要求1所述的一種稀土摻雜單斜晶系硅酸釓鹽熒光粉體的制備方法,其特征是按如下步驟:按化學(xué)計(jì)量比稱取原料,加入3~7wt% BaF2研磨均勻,放入剛玉坩堝中,加蓋放入加熱爐中灼燒,升溫速度為5~10℃/min,灼燒溫度為1450~1500℃,保溫時(shí)間為2~3.5小時(shí);自然冷卻取出,研磨后得到熒光粉體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種稀土摻雜單斜晶系硅酸釓鹽熒光粉體的制備方法,其特征是原料為稀土氧化物和一氧化硅。
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