[發(fā)明專利]一種薄膜加熱器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710554359.7 | 申請日： | 2017-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN107197551A | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 耿宏章;賈松霖;田穎;許春霞;石培培;谷澤增;袁雪爽;郭志迎;景立超 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H05B3/34 | 分類號： | H05B3/34;H05B3/14 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所11569 | 代理人： | 劉奇 |
| 地址： | 300000 *** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜 加熱器 及其 制備 方法 | ||
1.一種薄膜加熱器的制備方法，包含如下步驟：
在基底上設(shè)置一層碳納米管溶液涂層，得到涂層基底；
對所述涂層基底進(jìn)行水洗，得到洗滌后的涂層基底；
使用硝酸溶液對所述洗滌后的涂層基底進(jìn)行處理，得到導(dǎo)電薄膜基底；
在所述導(dǎo)電薄膜基底上設(shè)置一對電極，得到薄膜加熱器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述基底為聚對苯二甲酸乙二醇酯基底或聚酰亞胺基底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述碳納米管為單壁碳納米管或多壁碳納米管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述單壁碳納米管的外徑≤2nm，長度為5～30μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項所述的制備方法，其特征在于，所述碳納米管溶液包含碳納米管、分散劑和水；
所述分散劑為十二烷基苯磺酸鈉或十二烷基硫酸鈉。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述碳納米管和分散劑的質(zhì)量比為(8～12):1；
所述碳納米管在碳納米管溶液中的濃度為0.05～0.2mg/mL。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在基底上設(shè)置一層碳納米管溶液涂層的過程在惰性氣氛下進(jìn)行，所述基底的溫度為101～110℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述電極為銅導(dǎo)電膠或銀導(dǎo)電膠。
9.權(quán)利要求1～8任意一項所述的制備方法得到的薄膜加熱器，包含基底、設(shè)置于所述基底表面的碳納米管導(dǎo)電薄膜，以及設(shè)置于所述碳納米管導(dǎo)電薄膜表面的一對電極。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津工業(yè)大學(xué)，未經(jīng)天津工業(yè)大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710554359.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
