[發(fā)明專利]一種SiC晶圓的深孔清洗方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710552614.4
• 申請(qǐng)日: 2017-07-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107180748A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王珺楠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都海威華芯科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;B08B3/08
• 代理公司: 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙)51223
• 代理人: 徐豐

1.一種SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、采用硝酸溶液對(duì)刻蝕通孔后的SiC晶圓進(jìn)行第一次清洗；

S2、采用另一份硝酸溶液對(duì)SiC晶圓進(jìn)行第二次清洗；

S3、采用純水對(duì)SiC晶圓進(jìn)行第三次清洗；

S4、對(duì)SiC晶圓進(jìn)行干燥。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，所述硝酸溶液中硝酸與去離子水的體積比為1:4。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗的方式為浸泡，浸泡時(shí)間為120分鐘，并且水浴加熱硝酸溶液至40℃；浸泡時(shí)加超聲波震動(dòng)，超聲波功率為300w，頻率為雙頻40KHz和120KHz。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，所述第二次清洗的方式為浸泡，浸泡時(shí)間為60分鐘，并且水浴加熱硝酸溶液至40℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，所述第三次清洗的方式為浸泡，浸泡時(shí)間為5分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗的方式為噴淋。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，所述步驟S4中干燥的方式為旋轉(zhuǎn)甩干或氮?dú)獯蹈伞?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，所述步驟S4中干燥的時(shí)間為5分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SiC晶圓的深孔清洗方法，其特征在于，所述SiC晶圓尺寸為6英寸。