[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其制備方法和陣列基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710552613.X
• 申請日: 2017-07-07
• 公開（公告）號: CN107170835B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉寧;周斌;汪軍;李廣耀
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種制備薄膜晶體管的方法，其特征在于，包括：

在襯底的一側(cè)形成柵極；

在所述襯底的一側(cè)形成覆蓋所述柵極的柵絕緣層；

在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成有源層；

在所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成覆蓋所述有源層的析氫層，并放置預(yù)定時(shí)間，所述析氫層包括石墨烯層和金屬催化劑層，其中，所述石墨烯層設(shè)置于靠近所述有源層的一側(cè)；

去除所述析氫層的一部分，在未去除的所述析氫層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成源極和漏極，

其中，所述去除所述析氫層的一部分包括：

在形成所述源極和所述漏極之前，去除所述金屬催化劑層；

在形成所述源極和所述漏極之后，去除未被所述源極和所述漏極覆蓋的石墨烯層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述析氫層采用轉(zhuǎn)印工藝形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述金屬催化劑層的材料選自鎳、銠、鈀、鉑、銅、金及銀中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述金屬催化劑層的材料選自鎳和鈀中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬催化劑層是通過濕刻工藝去除的，所述石墨烯層是通過灰化工藝去除的。

6.一種薄膜晶體管，其特征在于，是通過權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法制備的。

7.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管。