[發明專利]阻性陽極讀出裝置及制備方法、阻性陽極讀出方法

在審

• 申請號: 201710552198.8
• 申請日: 2017-07-07
• 公開（公告）號: CN107450093A
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 董明義;鞠旭東;修青磊;董靜;歐陽群
• 申請（專利權）人: 中國科學院高能物理研究所
• 主分類號: G01T1/208
• 分類號: G01T1/208;G01N23/00
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司11438
• 代理人: 王輝,闞梓瑄

1.一種阻性陽極讀出裝置，其特征在于，包括：

陶瓷基板，所述陶瓷基板上設有多個過孔；

讀出電極，設于所述陶瓷基板上，所述讀出電極包括陣列排布的多個阻性單元，且各所述阻性單元均包括阻性方塊以及與所述阻性方塊各邊連接的多個阻性長條。

2.根據權利要求1所述的阻性陽極讀出裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

導體走線層，設于所述陶瓷基板第一側，且通過所述過孔與所述陶瓷基板連接；

第一方阻層，設于所述陶瓷基板第二側，且通過所述過孔與所述陶瓷基板第一側連接；

第二方阻層，設于所述陶瓷基板第二側，且與所述第一方阻層連接。

3.根據權利要求2所述的阻性陽極讀出裝置，其特征在于，所述第一方阻層為低方阻層，所述第二方阻層為高方阻層。

4.一種阻性陽極讀出裝置的制備方法，其特征在于，包括：

提供陶瓷基板，并在所述陶瓷基板上形成多個過孔；

在所述陶瓷基板第一側制作導體走線層，并在所述過孔中注入銀漿，以連接所述陶瓷基板的第一側和第二側；

分別制作與第一方阻層和第二方阻層對應的厚膜電阻漿料；

將所述厚膜電阻漿料印制在所述陶瓷基板第二側，以形成所述第一方阻層和所述第二方阻層；

對所述陶瓷基板進行烘干和燒結。

5.根據權利要求4所述的阻性陽極讀出裝置的制備方法，其特征在于，將所述厚膜電阻漿料印制在所述陶瓷基板第二側包括：

通過厚膜電阻工藝中的絲網印刷方法將所述厚膜電阻漿料印制在所述陶瓷基板第二側。

6.一種阻性陽極讀出方法，其特征在于，包括：

分別根據預設算法重建預設擊中事例的預設擊中位置；其中，所述預設算法有多個，且各所述預設算法分別對應一個所述預設擊中位置；

采用加權迭代重建算法對所述預設擊中位置進行組合，計算與所述預設擊中事例對應的最終擊中位置。

7.根據權利要求6所述的阻性陽極讀出方法，其特征在于，根據預設算法重建預設擊中事例的預設擊中位置包括：

在所述預設擊中事例當前位置所在的阻性單元中，將收集電荷最多的節點確定為種子節點；

根據與所述種子節點在各坐標軸方向上收集電荷最多的相鄰節點，在各坐標軸方向上分別確定一個或多個阻性單元；其中，所述阻性單元包括所述種子節點以及至少一個所述相鄰節點；

根據各所述阻性單元各個節點的坐標以及各個節點的收集電荷，重建所述預設擊中事例的第一預設擊中位置和第二預設擊中位置。

8.根據權利要求6所述的阻性陽極讀出方法，其特征在于，根據預設算法重建預設擊中事例的預設擊中位置還包括：

將所述預設擊中事例當前位置所在的阻性單元中，收集電荷最多的節點確定為種子節點；

根據所述種子節點以及所述種子節點在各坐標軸方向上相鄰節點的坐標以及各個節點的收集電荷，重建所述預設擊中事例的第三預設擊中位置。

9.根據權利要求6-8任意一項所述的阻性陽極讀出方法，其特征在于，計算與所述預設擊中事例對應的最終擊中位置包括：

計算各所述預設擊中位置對應的權重因子，并根據各所述預設擊中位置以及各所述權重因子計算當前擊中位置；

判斷所述當前擊中位置與初始擊中位置之差是否在預設范圍內，并在判斷所述當前擊中位置與初始擊中位置之差在所述預設范圍時，將所述當前擊中位置確定為最終擊中位置。

10.根據權利要求9所述的阻性陽極讀出方法，其特征在于，計算與所述預設擊中事例對應的最終擊中位置還包括：

在所述當前擊中位置與所述初始擊中位置之差未在所述預設范圍時，檢測迭代次數是否大于預設次數；

在所述迭代次數小于所述預設次數時，將所述當前擊中位置與所述初始擊中位置的平均值確定為當前擊中位置，并將當前擊中位置重新設置為第一預設擊中位置；

根據重新確定的第一預設擊中位置，采用迭代算法重新計算與所述預設擊中事例對應的最終擊中位置。