[發(fā)明專利]存儲器及其形成方法、半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710552008.2
• 申請日: 2017-07-07
• 公開（公告）號: CN107342263B
• 公開（公告）日: 2018-06-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，在所述襯底中形成多個呈陣列式排布且沿預(yù)定方向延伸的有源區(qū)，所述有源區(qū)上形成有一第一接觸區(qū)和多個延伸在所述預(yù)定方向上且位于所述第一接觸區(qū)兩側(cè)的第二接觸區(qū)；

形成多條位線在所述襯底上，在垂直于所述位線的延伸方向上的兩個相鄰的所述第二接觸區(qū)分別位于所述位線的兩側(cè)，以及在兩個相鄰的所述位線之間對應(yīng)有多個所述第二接觸區(qū)；

形成多條隔離線在所述襯底上，所述隔離線對準(zhǔn)地遮蓋于所述第一接觸區(qū)的位置，并且所述隔離線填充所述襯底同一列中位于相鄰的所述位線之間且在相鄰的所述第二接觸區(qū)之間的區(qū)域，并覆蓋所述位線中位于所述第一接觸區(qū)上方的部分；

形成一導(dǎo)電層在相鄰的所述隔離線之間的襯底上，所述隔離線高于所述導(dǎo)電層，并形成一掩膜側(cè)墻在所述隔離線朝向所述導(dǎo)電層的側(cè)壁上，所述掩膜側(cè)墻覆蓋所述導(dǎo)電層中位于所述第二接觸區(qū)上方的部分；以及，

以所述掩膜側(cè)墻為掩膜刻蝕所述導(dǎo)電層，以去除所述導(dǎo)電層在相鄰-所述掩膜側(cè)墻之間的部分，刻蝕后的所述導(dǎo)電層與所述第二接觸區(qū)電性連接，用于構(gòu)成存儲節(jié)點接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，位于同一列中的所述有源區(qū)呈對齊排布，所述隔離線沿著列方向延伸。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲器的形成方法，其特征在于，在部分去除所述導(dǎo)電層之后，還包括：

形成一間隔絕緣層在所述襯底上的兩個相鄰列之間，以對所述隔離線之間相鄰的所述存儲節(jié)點接觸進(jìn)行隔離。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，在所述襯底中還形成有多條字線，所述字線沿列方向延伸，所述隔離線更局部遮蓋至所述字線。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述隔離線的形成方法包括：

形成一隔離材料層在所述襯底上，所述隔離材料層為經(jīng)過化學(xué)機(jī)械研磨工藝后的膜層，且所述隔離材料層覆蓋所述位線；

形成一掩膜層在所述隔離材料層上，所述掩膜層覆蓋所述隔離材料層中對應(yīng)于所述第一接觸區(qū)的位置且沿著列方向延伸的部分；以及，

以所述圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕所述隔離材料層，形成多條所述隔離線。

6.如權(quán)利要求1所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的形成方法，包括：

形成一導(dǎo)電材料層在所述襯底上，所述導(dǎo)電材料層覆蓋所述隔離線和相鄰的所述隔離線之間的所述襯底；以及，

執(zhí)行回刻蝕工藝，以去除所述隔離線上方的所述導(dǎo)電材料層，并使刻蝕后的所述導(dǎo)電材料層低于所述隔離線，以構(gòu)成所述導(dǎo)電層。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲器的形成方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層高于所述位線，在以所述掩膜側(cè)墻為掩膜去除相鄰列之間的所述導(dǎo)電層之后，還包括：

去除所述導(dǎo)電層中位于所述位線上方的部分，使刻蝕后的位于所述位線兩側(cè)的所述導(dǎo)電層通過所述位線電性隔離。

8.如權(quán)利要求1至7任一項所述的存儲器的形成方法，其特征在于，在垂直于所述隔離線的延伸方向上，所述隔離線的寬度尺寸大于等于所述第一接觸區(qū)的對應(yīng)寬度尺寸。