[發明專利]一種含有有機共軛高分子半導體材料的空穴傳輸層及其用途

有效

• 申請號: 201710551881.X
• 申請日: 2017-07-07
• 公開（公告）號: CN107365411B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 徐保民;張羅正;劉暢;張杰
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

1.一種空穴傳輸層，其特征在于，所述空穴傳輸層中包含有機共軛高分子半導體材料，所述有機共軛高分子半導體材料的主鏈的重復單元由對烷氧基苯單元和芳香環單元構成，所述有機共軛高分子具有如下結構：

其中，R₁和R₂獨立地選自CH₃、C₂H₅、C₄H₉、C₆H₁₃、C₈H₁₇或C₁₂H₂₅中的任意1種，Ar為芳香環單元，n為正整數，所述n的范圍為5～200；

所述芳香環單元選自：噻吩、3,4-二氟噻吩、聯二噻吩、5,5'-聯噻唑、2,2'-聯噻唑、3,3’-二氟-2,2’聯二噻吩、噻吩并[3,2-b]噻吩、噻唑并[5,4-d]噻唑、噻吩并[3,4-b]噻吩、噻吩取代異靛、苯并噻二唑、苯并惡二唑、鄰苯二甲酰亞胺、喹喔啉、苯并三唑、噻吩并噻二唑、噻吩并吡嗪、吡咯并吡咯二酮、苯并雙噻二唑、噻二唑并喹喔啉、吡嗪并喹喔啉、苯并二噻吩二酮、鄰苯二甲酰亞胺并噻二唑或上述物質的衍生物中的任意1種或至少2種的組合。

2.根據權利要求1所述的空穴傳輸層，其特征在于，R₁和R₂均為2-乙基己基基團。

3.根據權利要求1所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述n的范圍為10～100。

4.根據權利要求1所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述芳香環單元為聯二噻吩。

5.根據權利要求1所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述芳香環單元選自下面結構單元中的任意1種或至少2種的組合：

其中，R₃選自C₁至C₂₀的烷基基團、烷氧基基團或烷硫基基團中的任意1種或至少2種的組合。

6.根據權利要求5所述的空穴傳輸層，其特征在于，R₃為CH₃、C₂H₅、C₄H₉、C₆H₁₃、C₈H₁₇、C₁₂H₂₅、2-己基癸基或2-辛基十二烷基中的任意1種或至少2種的組合。

7.根據權利要求1所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述有機共軛高分子半導體材料的主鏈中，對烷氧基苯單元和芳香環單元交替排列。

8.根據權利要求1所述的空穴傳輸層，其特征在于，所述對烷氧基苯單元和芳香環單元的摩爾比為1:1。

9.一種光-電轉換特性的電子器件，其特征在于，所述光-電轉換特性的電子器件包含權利要求1-8任一項所述的空穴傳輸層。

10.根據權利要求9所述的光-電轉換特性的電子器件，其特征在于，所述光-電轉換特性的電子器件為鈣鈦礦太陽能電池。