[發明專利]半導體封裝基板用銅箔及半導體封裝用基板在審
| 申請號： | 201710551428.9 | 申請日： | 2010-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN107263959A | 公開（公告）日： | 2017-10-20 |
| 發明（設計）人： | 赤瀨文彰 | 申請（專利權）人： | 吉坤日礦日石金屬株式會社 |
| 主分類號： | B32B15/08 | 分類號： | B32B15/08;C25D9/08;C25D11/38;C23C22/24;C23C28/04 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 封裝 基板用 銅箔 用基板 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體封裝基板用銅箔，其包含：在作為與樹脂膠粘的膠粘面的銅箔的粗糙化面上形成的鉻酸鹽處理層或者包含鋅或氧化鋅以及鉻氧化物的覆蓋層、以及硅烷偶聯劑層；所述鉻酸鹽處理層或者包含鋅或氧化鋅以及鉻氧化物的覆蓋層的Cr量為25-150μg/dm2，Zn量為41-133μg/dm2以下，
不使用包含黃銅的耐熱處理層，
硅烷偶聯劑層中包含四烷氧基硅烷和至少一種以上具備與樹脂具有反應性的官能團的烷氧基硅烷。
2.如權利要求1所述的半導體封裝基板用銅箔，其特征在于，銅箔為電解銅箔或壓延銅箔。
3.如權利要求1或2所述的半導體封裝基板用銅箔，其特征在于，鉻酸鹽處理層或者包含鋅或氧化鋅以及鉻氧化物的覆蓋層是電解鉻酸鹽被膜層或浸漬鉻酸鹽被膜層。
4.一種半導體封裝用基板，通過將權利要求1～3中任一項所述的半導體封裝基板用銅箔與半導體封裝用樹脂粘合而制成。
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