[發明專利]有機EL顯示裝置有效
| 申請號: | 201710550820.1 | 申請日: | 2017-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN107785395B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 德田尚紀 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 楊宏軍;李文嶼 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 el 顯示裝置 | ||
本發明涉及有機EL顯示裝置。本發明的課題為即使在將ITO層截斷配置的情況下,也能夠防止該截斷部分上方的有機EL膜的上部電極和下部電極的短路。本發明為有機EL顯示裝置,具有:ITO層,所述ITO層被截斷配置于形成有像素開口的區域;電容絕緣膜,所述電容絕緣膜被配置于所述ITO層上;下部電極,所述下部電極被配置于所述電容絕緣膜上;有機層,所述有機層被配置于所述下部電極上;上部電極,所述上部電極被配置于所述有機層上;和平坦化構件,所述平坦化構件以使得所述下部電極的層差部分的傾斜變得緩和的方式而配置。
技術領域
本發明涉及有機EL顯示裝置。
背景技術
有機EL顯示裝置中,有時利用分割各像素間的凸肋而形成有像素開口。具體而言,例如在上述那樣的有機EL顯示裝置中具有圖8及圖9所示的構成。需要說明的是,圖8表示像素開口周邊的截面的一例,圖9表示圖8的俯視圖。此外,圖8表示圖9的XIII-XIII截面的一例。
如圖8及圖9所示,在形成有TFT等的陣列基板801上以規定的間隔分開配置有布線802。在形成有該布線802的陣列基板801上形成有平坦化膜803。在該布線802上的平坦化膜803中形成的開口部901上形成有ITO層804。該ITO層804以從布線802延伸至超過像素開口902下部的方式形成。
圖8左側的形成有布線802的區域,在平坦化膜803中形成有開口部901,在該開口部901上,從陣列基板801側開始按順序主要層合有ITO層804、電容絕緣膜805、下部電極806、凸肋807、上部電極809、封固膜810。此外,ITO層804和下部電極806經由電容絕緣膜805的開口部901而電連接。在圖9右側的形成有布線802的區域,從陣列基板801側開始按順序主要層合有布線802、平坦化膜803、電容絕緣膜805、凸肋807、上部電極809、封固膜810。
在形成有像素開口902的區域,從陣列基板801側開始按順序主要層合有平坦化膜803、ITO層804、電容絕緣膜805、有機EL膜808的下部電極806、有機EL膜808、有機EL膜808的上部電極809、封固膜810。需要說明的是,圖9中的903表示像素的邊界。
發明內容
發明要解決的課題
其中,如圖10所示,為了有效地靈活運用形成于上述像素開口902下部的ITO層804,考慮了將圖8中示出的ITO層804截斷,利用該截斷的ITO層111、電容絕緣膜805和下部電極806形成像素電路的保持電容。然而,如圖11所示,若將ITO層804截斷,則在形成于ITO層111的截斷部分的上方的下部電極806中產生層差部分112,該層差部分112中,上部電極809和下部電極806有時短路。
因此,本發明的目的在于實現下述的有機EL顯示裝置:即使在如上所述地將ITO層截斷配置的情況下,也能夠防止該截斷部分上方的有機EL膜的上部電極和下部電極的短路。
用于解決課題的手段
(1)本發明的有機EL顯示裝置特征在于,具有:ITO層,所述ITO層被截斷配置于形成有像素開口的區域;電容絕緣膜,所述電容絕緣膜被配置于所述ITO層上;下部電極,所述下部電極被配置于所述電容絕緣膜上;有機層,所述有機層被配置于所述下部電極上;上部電極,所述上部電極被配置于所述有機層上;和平坦化構件,所述平坦化構件以使得所述下部電極的層差部分的傾斜變得緩和的方式而配置。
(2)如上述(1)所述的有機EL顯示裝置,其特征在于,所述平坦化構件是由丙烯酸樹脂形成的。
(3)如上述(1)或(2)所述的有機EL顯示裝置,其特征在于,所述ITO層被所述電容絕緣膜截斷,所述層差部分位于所述ITO層的截斷部分上方。
(4)如上述(1)至(3)中任一項所述的有機EL顯示裝置,其特征在于,所述被截斷的ITO層中的第一ITO層利用所述下部電極和所述電容絕緣膜形成保持電容。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





