[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201710550232.8
• 申請日: 2017-07-07
• 公開（公告）號: CN107658303B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 內海哲章;磯部克明
• 申請（專利權）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 楊林勛

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于包含：

多根字線，在第1方向積層；

半導體層，貫穿所述多根字線而在所述第1方向延伸；

源極線，電連接于所述半導體層；及

晶體管，與所述多根字線一起配置于所述第1方向，并包含柵極電極、以及位于其兩側的源極區域及漏極區域；

第4接觸體，貫穿所述源極線及所述多根字線而在所述第1方向延伸，并電連接于所述源極區域及漏極區域的一者；

第5接觸體，貫穿所述多根字線而在所述第1方向延伸，并電連接于所述源極線；及

第3配線，將所述第4接觸體與所述第5接觸體電連接；且

所述源極線位于所述晶體管與所述多根字線之間，并電連接于所述源極區域及漏極區域的一者；

所述多根字線位于所述第3配線與所述源極線之間。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還具有設置于所述晶體管與所述源極線之間的第1配線，且

所述源極線經由所述第1配線而電連接于所述源極區域及漏極區域的一者。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還包含電連接于所述源極線的端部，并在所述第1方向延伸的第3接觸體，且

所述源極線的所述端部與所述多根字線的端部一起呈階梯狀而設置。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第4接觸體位于所述晶體管與所述第3配線層之間。

5.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第4接觸體及所述第5接觸體包含金屬。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還包含設置于所述源極線與所述晶體管之間，并電連接于所述源極區域及漏極區域的一者、以及所述第4接觸體的第4配線，且

所述第5接觸體位于所述第3配線與所述第4配線之間。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還包含電連接于所述半導體層的位線，且

所述多根字線位于所述源極線與所述位線之間，

所述第3配線屬于與所述位線相同的配線層。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于還包含：

第6接觸體，貫穿所述源極線及所述多根字線而在所述第1方向延伸，并電連接于所述源極區域及漏極區域的另一者；及

第5配線，電連接于所述第6接觸體；且

所述多根字線位于所述第5配線與所述源極線之間。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述第5配線向所述源極線供給特定電位。

10.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

還包含電連接于所述源極線的端部，并在所述第1方向延伸的第7接觸體，且所述源極線的所述端部與所述多根字線的端部一起呈階梯狀而設置。

11.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述源極線是與所述第1方向交叉的板狀的導體。

12.根據權利要求11所述的半導體存儲裝置，其特征在于：

所述源極線包含金屬或導電性的多晶硅。