[發(fā)明專利]雙面POLO電池及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710549208.2
• 申請(qǐng)日: 2017-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN107342332A
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉陽;孫鐵囤;姚偉忠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州億晶光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 常州市英諾創(chuàng)信專利代理事務(wù)所(普通合伙)32258
• 代理人: 朱麗莎

1.一種雙面POLO電池，其特征在于：包括硅片基底(1)，所述硅片基底(1)的雙面由內(nèi)向外依次設(shè)置有SiOx隧穿氧化層(2)、多晶硅層(3)以及ITO導(dǎo)電薄膜層(4)。

2.一種雙面POLO電池的制備方法，包括對(duì)硅片依次進(jìn)行雙面清洗制絨、全鈍化、離子注入、鍍導(dǎo)電薄膜和絲網(wǎng)印刷，其特征在于：所述全鈍化工藝中采用氧化硅加多晶硅進(jìn)行鈍化形成全鈍化層。

3.如權(quán)利要求2所述的雙面POLO電池的制備方法，其特征在于：所述全鈍化的具體包括：

利用濕法化學(xué)或濕氧法或紫外法在硅片的雙面先制備SiOx隧穿氧化層(2)，再利用PECVD或LPCVD在硅片的雙面的SiOx隧穿氧化層(2)上制備多晶硅層(3)，再利用離子注入分別對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行摻雜，最終制備得到由氧化硅加多晶硅形成非接觸式的全鈍化層。

4.如權(quán)利要求2所述的雙面POLO電池的制備方法，其特征在于：具體步驟包括：

清洗制絨，將硅片在HCl/HNO₃混合溶液中清洗，去除表面損傷層、切割線痕以及金屬離子等，利用NaOH進(jìn)行表面制絨，因各向異性反應(yīng)，表面生成金字塔結(jié)構(gòu)；

制備隧穿氧化層，利用濕法化學(xué)或濕法臭氧法或紫外法在硅片的雙面進(jìn)行生長(zhǎng)SiOx隧穿氧化層(2)，其膜厚控制在1～10nm，隨后對(duì)其進(jìn)行退火；

鈍化層，利用PECVD或LPCVD在硅片的雙面的SiOx隧穿氧化層(2)上制備多晶硅層(3)，其膜厚控制在1～20nm；

離子注入，分別對(duì)硅片的正面和背面進(jìn)行離子注入，分別形成P⁺Ploy-Si層和N⁺Ploy-Si層；

鍍導(dǎo)電膜，利用PVD在硅片的雙面，即在P⁺Ploy-Si層和N⁺Ploy-Si層沉積導(dǎo)電薄膜ITO，雙面其方阻控制在20～200Ω；

絲網(wǎng)印刷，將完成ITO薄膜的硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷燒結(jié)，絲印出背電極和正電極即可。