[發(fā)明專利]壓力傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710548035.2 | 申請日： | 2017-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN107588882B | 公開（公告）日： | 2019-08-06 |
| 發(fā)明（設計）人： | 瀨戶祐希;小笠原里奈 | 申請（專利權(quán)）人： | 阿自倍爾株式會社 |
| 主分類號： | G01L7/08 | 分類號： | G01L7/08;G01L9/00 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖華 |
| 地址： | 日本國東京都千*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓力傳感器 | ||
1.一種壓力傳感器，其特征在于，具有：
膜片，所述膜片具有承受測定對象流體的壓力的第1主面和所述第1主面的相反側(cè)的第2主面；
第1基座，所述第1基座在俯視時與所述膜片同心圓狀地設置于所述第2主面的變形區(qū)域，所述變形區(qū)域是施加于所述第1主面的壓力比施加于所述第2主面的壓力大時所述膜片發(fā)生變形的區(qū)域，所述第1基座從所述第2主面向垂直方向突出；
第2基座，所述第2基座在俯視時與所述膜片同心圓狀地設置于所述變形區(qū)域，所述第2基座從所述第2主面向垂直方向突出，并且直徑比所述第1基座大；
第1半導體芯片，所述第1半導體芯片在一個面形成有構(gòu)成應變計的第1電阻以及第2電阻；
第2半導體芯片，所述第2半導體芯片在一個面形成有構(gòu)成應變計的第3電阻以及第4電阻；
第1結(jié)構(gòu)體，所述第1結(jié)構(gòu)體的一端在俯視時被接合于通過所述膜片的所述第2主面的中心的第1直線上的所述第1基座上，另一端被接合于所述第1半導體芯片的另一面，從而所述第1結(jié)構(gòu)體被垂直設置；
第2結(jié)構(gòu)體，所述第2結(jié)構(gòu)體的一端在俯視時被接合于所述第1直線上的所述第2基座上，另一端被接合于所述第1半導體芯片的另一面，從而所述第2結(jié)構(gòu)體被垂直設置；
第3結(jié)構(gòu)體，所述第3結(jié)構(gòu)體的一端在俯視時被接合于通過所述第2主面的中心并與所述第1直線正交的第2直線上的所述第1基座上，另一端被接合于所述第2半導體芯片的另一面，從而所述第3結(jié)構(gòu)體被垂直設置；以及
第4結(jié)構(gòu)體，所述第4結(jié)構(gòu)體的一端在俯視時被接合于所述第2直線上的所述第2基座上，另一端被接合于所述第2半導體芯片的另一面，從而所述第4結(jié)構(gòu)體被垂直設置，
在所述第1半導體芯片上，所述第1電阻以及所述第2電阻在俯視時被形成于接合有所述第1結(jié)構(gòu)體的接合面與接合有所述第2結(jié)構(gòu)體的接合面之間的區(qū)域，
在所述第2半導體芯片上，所述第3電阻以及所述第4電阻在俯視時被形成于接合有所述第3結(jié)構(gòu)體的接合面與接合有所述第4結(jié)構(gòu)體的接合面之間的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，
所述第1半導體芯片被形成為長方形形狀，且以所述第1半導體芯片的長邊與所述第1直線平行的方式配置，
所述第2半導體芯片被形成為長方形形狀，且以所述第2半導體芯片的長邊與所述第2直線平行的方式配置，
所述第1電阻和所述第2電阻在與所述第1半導體芯片的短邊平行的方向上排列配置，且向相互不同的方向延伸地形成，
所述第3電阻和所述第4電阻在與所述第2半導體芯片的短邊平行的方向上排列配置，且向相互不同的方向延伸地形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓力傳感器，其特征在于，
所述第1電阻以及所述第4電阻向同一方向延伸地形成，
所述第2電阻以及所述第3電阻向與所述第1電阻以及所述第4電阻延伸的方向垂直的方向延伸地形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓力傳感器，其特征在于，
所述第1電阻、所述第2電阻、所述第3電阻以及所述第4電阻與所述膜片的所述第2主面的中心相隔等距離地配置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓力傳感器，其特征在于，
所述第1電阻、所述第2電阻、所述第3電阻以及所述第4電阻與所述膜片的所述第2主面的中心相隔等距離地配置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，
所述第1半導體芯片被形成為長方形形狀，且以所述第1半導體芯片的長邊與所述第1直線平行的方式配置，
所述第2半導體芯片被形成為長方形形狀，且以所述第2半導體芯片的長邊與所述第2直線平行的方式配置，
所述第1電阻以及所述第2電阻在與所述第1半導體芯片的長邊平行的方向上排列形成，
所述第3電阻以及所述第4電阻在與所述第2半導體芯片的長邊平行的方向上排列形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓力傳感器，其特征在于，
所述第1電阻、所述第2電阻、所述第3電阻以及所述第4電阻在同一方向上延伸地形成。
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