[發明專利]一種Sb摻雜BiCuSeO熱電材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201710547904.X
• 申請日: 2017-07-06
• 公開（公告）號: CN107394035A
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: 樊希安;馮波;江程鵬;李光強;賀鑄;李亞偉
• 申請（專利權）人: 武漢科技大學
• 主分類號: H01L35/14
• 分類號: H01L35/14;H01L35/16;H01L35/18;H01L35/22;H01L35/34
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙)42222
• 代理人: 張火春

1.一種Sb摻雜BiCuSeO熱電材料的制備方法，其特征在于所述Sb摻雜BiCuSeO熱電材料的化學式為Sb_xBi_1-xCuSeO，0.005≤x≤0.12，制備方法是：

第一步、按照氧化鉍粉∶銅粉∶硒粒∶鉍粉∶銻粒的物質的量之比為1∶3∶3∶(1-3y)∶3y配料，0.005≤3y＝x≤0.12，然后混合均勻，即得混合粉末；

第二步、將所述混合粉末裝入球磨罐中，在惰性氣氛條件下球磨5～12h，制得單相Sb_xBi_1-xCuSeO粉末，0.005≤x≤0.12；

第三步、將所述單相Sb_xBi_1-xCuSeO粉末裝入模具，置于等離子體活化燒結爐內，然后同時開始勻速升溫和勻速升壓，同時升至燒結溫度為500～700℃和升至燒結壓強為30～100MPa，保溫和保壓的時間均為3～20min，再同時開始勻速降溫和勻速降壓，同時降至常溫和常壓；

所述勻速升溫的速率為20～100℃/min；所述勻速降溫的速率為20～50℃/min；

第四步、取出燒結后的模具，脫模，即得Sb摻雜BiCuSeO熱電材料。

2.根據權利要求1所述的Sb摻雜BiCuSeO熱電材料，其特征在于所述氧化鉍粉的純度為≥99.99wt％，氧化鉍粉的粒徑≤44μm。

3.根據權利要求1所述的Sb摻雜BiCuSeO熱電材料，其特征在于所述銅粉的純度為≥99.99wt％；銅粉的粒徑≤33μm。

4.根據權利要求1所述的Sb摻雜BiCuSeO熱電材料，其特征在于所述硒粒的純度為≥99.99wt％；硒粒的粒徑為≤2mm。

5.根據權利要求1所述的Sb摻雜BiCuSeO熱電材料，其特征在于所述鉍粉的純度為≥99.99wt％；鉍粉的粒徑≤44μm。

6.根據權利要求1所述的Sb摻雜BiCuSeO熱電材料，其特征在于所述銻粒的純度為≥99.99wt％；銻粒的粒徑≤2mm。

7.根據權利要求1所述的Sb摻雜BiCuSeO熱電材料,其特征在于所述球磨的設備為高能行星球磨機，球料質量比為(10～25)∶1，所述高能行星球磨機的轉速為200～600r/min。

8.一種Sb摻雜BiCuSeO熱電材料，其特征在于所述Sb摻雜BiCuSeO熱電材料是根據權利要求1～7項中任一項所述的Sb摻雜BiCuSeO熱電材料的制備方法所制備的Sb摻雜BiCuSeO熱電材料。